近日，三星、鎧俠兩大存儲廠公布新消息：三星量產(chǎn)第9代V-NAND、鎧俠新一代UFS 4.0閃存芯片出樣。
三星開始量產(chǎn)第9代V-NAND
4月23日，三星電子宣布，其1Tb TLC第9代V-NAND已開始量產(chǎn)，鞏固了其在NAND閃存市場的地位。
據(jù)三星介紹，第9代V-NAND配備了下一代NAND閃存接口“Toggle 5.1”，支持將數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提高33%，達(dá)到3.2Gbps。除了這個新接口外，三星還計劃通過擴大對PCIe 5.0的支持來鞏固其在高性能SSD市場的地位。
憑借業(yè)界最小的單元尺寸和最薄的模組，三星將第9代V-NAND的位密度相比第8代V-NAND提高了約50%。功耗方面，與上一代相比，第9代V-NAND通過低功耗設(shè)計的進步，功耗也降低了10%。
三星電子存儲業(yè)務(wù)產(chǎn)品和技術(shù)主管SungHoi Hur表示，通過最新的V-NAND，三星將繼續(xù)引領(lǐng)高性能、高密度SSD市場趨勢，滿足下一代人工智能的需求。
據(jù)悉，三星將于今年下半年量產(chǎn)四級單元 (QLC) 型號。
鎧俠新一代UFS 4.0閃存芯片出樣
鎧俠宣布出樣最新一代UFS 4.0閃存芯片，新產(chǎn)品提供256GB、512GB和1TB容量規(guī)格。
據(jù)介紹，新閃存芯片采用了鎧俠的BiCS Flash 3D閃存和主控芯片，集成了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0，支持每通道23.2 Gbps或者每個設(shè)備46.4 Gbps的理論接口速度，并向后兼容UFS 3.1。
性能方面，與上一代UFS 4.0產(chǎn)品相比，新閃存芯片的順序?qū)懭胨俣忍嵘?5%，隨機寫入速度提升了50%，隨機讀取速度提升30%，順序讀取速度不變，依舊維持在4640MB/s。
新產(chǎn)品采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的9mm x 13mm封裝，比上一代11mm x 13mm的封裝小18%，其中256GB和512GB的閃存封裝厚度為0.8mm，1TB的封裝厚度為0.9mm。
據(jù)鎧俠表示，256GB和512GB容量的產(chǎn)品于本月開始出樣發(fā)貨，而1TB的產(chǎn)品則需要等到6月后才能發(fā)貨，樣品規(guī)格可能會與最終量產(chǎn)版本有不同。
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