消費性應用推動，2009增至80億美元 來自InformationNetwork的數(shù)據(jù)表示，2008年全球MEMS器件出貨量增長25%，達到25億顆，營收也隨之增長11%左右，接近78億美元。該公司預計，到2012年MEMS市場總額將會達到154億美元，而消費類電子仍將占據(jù)46%的份額，消耗掉價值為71億美元的MEMS器件?！癕EMS已經(jīng)成為噴墨打印機以及數(shù)碼相機等消費類電子產(chǎn)品中的一項標準配置，此外采用了3D傳感器和加速計的MEMS器件正在包括手機、游戲控制器、玩具、GPS、筆記本電腦以及硬盤等在內的新興應用中找到新的市場?！盡ckie表示。 多年來一直追蹤MEMS市場變化的法國市場研究與戰(zhàn)略咨詢公司YoleDevelopment不久前發(fā)布的一份報告顯示，2009年全球MEMS市場仍將溫和增長。這份由EETimes轉載的報告稱，該公司CEOJeanChirstopheEloy表示，2009年全球MEMS市場總額將增長至80億美元左右。雖然權重較小的汽車類業(yè)務會下降10%左右，不過，占大頭的消費類應用則會增長5%，從32.6億美元增長至36億美元。 Mckie是在一年一度的Semicon針對全球MEMS市場做出上述評論的。與此同時，該公司還展示了旨在為MEMS設計師提供更多生產(chǎn)選擇、并提供更加寬泛的工藝窗口和各種工藝控制的汽相氧化物釋放蝕刻模塊技術。來自英國蘇格蘭的Point35Microstructure創(chuàng)建于2003年，以提供各種高質量的翻新半導體制造系統(tǒng)起家。2004年，該公司進入MEMS領域，推出了自有的messtar系統(tǒng)。 創(chuàng)新工藝帶來更大設計自由度 Mckie表示，目前晶圓廠中鮮有專為MEMS制造而設計的。相反，大部分都采用已有的設備進行MEMS生產(chǎn)。雖然部分MEMS制造的確可以采用現(xiàn)有的光刻、薄膜氣相沉積等工藝進行，但諸如深反應離子蝕刻、等向性蝕刻、抗粘滯薄膜等被認為是MEMS發(fā)展趨勢工藝制程卻必須要使用特定的制造設備。 傳統(tǒng)的MEMS工藝主要以干法蝕刻為主，不過由于它是一種垂直工藝，比如在如圖所示的需要橫向工藝來將底部掏空的場合就無法勝任?！斑@無疑會對MEMS設計工程師的自由度造成局限，進而影響到他們無法再特定的器件技術下無法選擇最優(yōu)的工藝集成方案?！盡ckie表示，“此外，濕法刻蝕（如KOH溶液）還無法同CMOS技術兼容，并帶來工藝控制程度低、釋放粘滯（Releasestiction）、對集成電路可能造成破壞以及環(huán)境問題等諸多不良影響。” MEMS制造如何擺脫濕法刻蝕帶來的困境？選擇新的材料無疑是一條必由之路。不過，這里要強調的是，尋找一種能適應某種工藝的材料可能是一個錯誤的方向。Point35的選擇是——尋找一種能夠適應器件需求的材料。這就是被稱之為犧牲性汽相釋放（SVR）模塊技術的由來。 Mckie介紹，與濕法化學的蝕刻不同，SVR可以完全取出材料而不損壞機械結構或產(chǎn)生黏附問題，而且還具有高度的可選擇性、可重復性以及均勻性。此外，SVR保留了干燥的表面，省去了包含在濕法工藝中的表面準備、引入酸、中和以及隨后的干燥等步驟。而同CMOS工藝兼容的優(yōu)勢也令MEMS器件如IC般在相同的設施和基板上進行生產(chǎn)，并適用于新類型的單芯片MEMS/CMOS器件。 Point35Microstructure的SVR工藝采用XeF2作為升華物（SublimatingSolid），無水氫氟蒸汽aHF來去除犧牲氧化物，從而釋放MEMS機械結構。 拿下中國買家 “汽相工藝對滿足MEMS設計技術的發(fā)展需求起著至關重要的作用?！盡ckie指出，“Point35Microstructure完備的SVR工藝組合支持氧化物和硅釋放技術，這些將領設計師和制造商充分認識到MEMS廣泛的應用中蘊藏的巨大市場潛力。” 由于Memssstar可以覆蓋從設計研發(fā)到產(chǎn)品量產(chǎn)的全面需求，經(jīng)過更換模塊就能輕松實現(xiàn)，為研發(fā)到量產(chǎn)節(jié)省重新購置機臺的費用。Point35Microstructure技術也吸引了中國晶圓廠的注意。 “今年7月，將有一臺Memsstar機臺進入中國晶圓廠。”Mckie透露。