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據(jù)報道，日本產業(yè)技術綜合研究所開發(fā)出了可集成于半導體芯片的微型熱電式氫氣傳感器。檢測范圍（空氣中氫氣的濃度）達到了0.5ppm～5％之間。用于氫氣站等設施的泄露檢測。今后將向有關機構提供傳感器樣品，力爭將其應用于氫氣設施中。新開發(fā)的熱電式氫氣傳感器由熱電轉換膜及其表面上部分形成的鉑觸媒膜組成，氫與觸媒的發(fā)熱反應引起的局部溫差，利用熱電轉換膜轉換為電壓信號。因而，只要使用高性能的熱電材料就可得到足以完成檢測任務的信號。新開發(fā)的傳感器采用的是催化反應和熱電轉換功能相結合的工作原理，將元件本身產生的電壓轉換成信號，不僅提高了可檢測濃度范圍，還不易受到外界溫度的影響。采用這種工作原理的氫氣傳感器在NEDO（新能源產業(yè)技術綜合開發(fā)機構）開展的產業(yè)技術研究扶持項目——“采用熱電氧化物的新型氫氣傳感器的開發(fā)”中已經開發(fā)成功，但要想開發(fā)出低成本、高靈敏度的傳感器，還需要為傳感器元件開發(fā)小型化與集成技術，以及微加熱器技術。此次開發(fā)主要解決了在半導體晶圓上形成熱電薄膜、觸媒膜、電極、配線及加熱器的傳感器元件制造技術。同時，還提高了傳感器的耐用性，降低了生產成本。作為熱電轉換元件的關鍵技術，確立了利用濺射蒸鍍法形成SiGe膜之后進行熱處理的薄膜成形技術。因為SiGe熱電轉換材料的熱電特性高，非常適宜采用半導體工藝。為了使觸媒不受大氣中水蒸汽的影響而穩(wěn)定地發(fā)揮作用，溫度要維持在100℃。作為維持觸媒溫度的加熱器集成技術，采用MEMS技術研制出隔熱性很高的微加熱器。將熱電圖、微加熱器、觸媒3個組成要素集成到了尺寸約為1×2mm2的薄膜上，制成了尺寸為4×4mm2的傳感器芯片。