英飛凌宣布與飛兆半導(dǎo)體侵權(quán)訴訟達(dá)成和解
導(dǎo)語(yǔ):英飛凌與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專(zhuān)利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解,作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖,英飛凌目前正在和多家半導(dǎo)體公司進(jìn)行專(zhuān)利許可談判
英飛凌科技公司日前宣布,該公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專(zhuān)利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月,英飛凌向美國(guó)特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項(xiàng)專(zhuān)利。
通過(guò)廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專(zhuān)利交*許可,雙方就上述訴訟達(dá)成和解。根據(jù)和解協(xié)議,飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費(fèi),但協(xié)議的具體條款和條件保密。
英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國(guó)特拉華州地方法院,雙方已經(jīng)達(dá)成和解,并將申請(qǐng)撤訴。
作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖,英飛凌目前正在和多家半導(dǎo)體公司進(jìn)行專(zhuān)利許可談判。英飛凌認(rèn)為,這些談判對(duì)持續(xù)保護(hù)其知識(shí)產(chǎn)權(quán)和商業(yè)利益至關(guān)重要。
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