北京優(yōu)納無掩模光刻設備研發(fā)成功

時間：2010-04-02

來源：北京優(yōu)納科技有限公司

導語：優(yōu)納科技與其日本控股公司共同完成無掩模光刻設備的研發(fā)，成為國內第一臺基于數(shù)字微反射技術實現(xiàn)的無掩模光刻的設備。

      優(yōu)納科技與其日本控股公司共同完成無掩模(Maskless)光刻(Lithography)設備的研發(fā)，成為國內第一臺基于數(shù)字微反射（DMD）技術實現(xiàn)的無掩模光刻的設備，該設備可廣泛應用于納米電子，平板顯示，半導體，MEMS，μTAS，LCD，s生物芯片，和各類功能材料等領域，該設備具有以下特點：

      1，利用DMD的縮影投射技術實現(xiàn)1每米的像素

      2，實現(xiàn)薄膜透明材料的自動對焦

      3，利用灰度圖像投影可實現(xiàn)三維保護膜加工

      4，采用405納米波長LED光源，極大提高設備的可維護性和使用壽命

      5，利用TTL（through-the-lens）對位技術實現(xiàn)高精度位置對準

      6，可以實現(xiàn)不同厚度（亞微米-100微米以上）的保護膜兼容

      7，重復位置精度0.1微米

      8，各類光刻參數(shù)可以自由調節(jié)實現(xiàn)各種光刻的需要，可以制作出高質量的光變圖像,例如2D圖像,2D/3D圖像,3D圖像以及各種精密的微刻圖像和文字等

      9，支持標準CAD格式，兼容DXF，GDSII等

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