半導(dǎo)體制造商ROHM株式會(huì)社（總部設(shè)在日本京都），作為1958年以小電子零件生產(chǎn)商起家的企業(yè)，經(jīng)過(guò)50多年的迅速發(fā)展，已經(jīng)發(fā)展成為了在全球擁有多個(gè)生產(chǎn)和研發(fā)基地，在元器件領(lǐng)域擁有很高認(rèn)可度和質(zhì)量信譽(yù)的知名企業(yè)。近日，ROHM已經(jīng)預(yù)定了2010年中國(guó)（成都）電子展的展位，這是ROHM將市場(chǎng)擴(kuò)展延伸到中國(guó)西部的重要嘗試舉措之一。

      ROHM最近也剛剛開(kāi)始了肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）“SCS110A系列”的量產(chǎn)，本系列產(chǎn)品采用了因低功耗、高耐壓而有望成為下一代功率元件材料的 SiC（Silicon carbide：碳化硅）?！癝CS110A系列”產(chǎn)品與其他公司已經(jīng)量產(chǎn)的SiC-SBD相比，在正向電壓和動(dòng)作時(shí)阻抗等特性上有很大的改善，可以廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車等進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換的變壓器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路（功率因數(shù)校正電路）等領(lǐng)域和其他可能的領(lǐng)域。
      本系列新產(chǎn)品已在2010年4月下旬開(kāi)始量產(chǎn)和銷售，我們將視市場(chǎng)需求情況逐步擴(kuò)大生產(chǎn)。生產(chǎn)基地定于晶圓在SiCrystal公司（德國(guó)埃爾蘭根市）制造，前期工序在ROHM Apollo Device Co.,Ltd.（福岡縣），后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國(guó)）進(jìn)行。

      最近，在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，電源轉(zhuǎn)換時(shí)半導(dǎo)體元件所帶來(lái)的功耗已成為一個(gè)問(wèn)題，從環(huán)保角度出發(fā)，行業(yè)也在以進(jìn)一步降低功耗為目標(biāo)，不斷進(jìn)行材料特性比硅材料更優(yōu)越的SiC功率元件的開(kāi)發(fā)研究。在這種趨勢(shì)下，2004年ROHM率先采用SiC成功試制出MOSFET產(chǎn)品，并成功試制出采用了SBD和這些元件的功率模塊，在行業(yè)中首先推進(jìn)了SiC元件/模塊的研究和開(kāi)發(fā)。SiC-SBD從2005年開(kāi)始銷售工程樣品，結(jié)合客戶的反饋，我們不斷努力提高可靠性和改善生產(chǎn)性。此外，為了確保高品質(zhì)的SiC晶圓，ROHM收購(gòu)了德國(guó)SiCrystal公司，以建立SiC元件的一條龍生產(chǎn)體系。

      本次開(kāi)始量產(chǎn)的“SCS110A系列”產(chǎn)品的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）是15nsec，與以往的硅材料快速恢復(fù)二極管（35nsec〜50nsec）相比大幅縮短，恢復(fù)過(guò)程中的損失減少到約三分之一。因此，變壓器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路中如果采用本系列產(chǎn)品，可以大大降低損耗，從而減少發(fā)熱量。此外，相比硅材料快速恢復(fù)二極管（FRD），由于其溫度變化時(shí)的特性變化極小，散熱片小型化等可望效果顯著。另外，和以往的SiC-SBD相比較，具有反向恢復(fù)時(shí)間顯著改善、芯片尺寸減小15％左右等優(yōu)勢(shì)。
本系列產(chǎn)品的量產(chǎn)，解決了肖特基勢(shì)壘的均一性、高溫處理中形成不必要的高抗保護(hù)環(huán)層等SiC元件的課題，并且確立了一條龍生產(chǎn)體制。
另外，本系列產(chǎn)品與已經(jīng)量產(chǎn)的以往SiC-SBD產(chǎn)品相比，工作時(shí)阻抗更小、正向電壓更低（VF = 1.5V（標(biāo)稱值）10A時(shí)），溫度特性得到改善，實(shí)現(xiàn)了比以往產(chǎn)品都高的效率。

      ROHM將SiC元件業(yè)務(wù)視為下一代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的核心技術(shù)之一，今后將繼續(xù)推進(jìn)SBD的進(jìn)一步高耐壓化，強(qiáng)化大電流產(chǎn)品陣容，擴(kuò)展搭載MOSFET和 SiC元件的IPM（智能功率模塊）等SiC相關(guān)產(chǎn)品陣容并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化。