威世繼續(xù)擴大應用在醫(yī)療電子領域中的功率MOSFET的領先優(yōu)勢

時間:2010-10-25

來源:VISHAY 威世電子

導語:Vishay Intertechnology, Inc宣布,將為業(yè)內首個用于植入式醫(yī)療應用的功率MOSFET系列增添兩款新器件SMMA511DJ 和 SMMB912DK。

新款器件用于植入式醫(yī)療應用,封裝尺寸降至1.6mmx1.6mm,導通電阻降至0.4Ω

      賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 10 月 25 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將為業(yè)內首個用于植入式醫(yī)療應用的功率MOSFET系列增添兩款新器件 --- SMMA511DJ 和 SMMB912DK。這些MOSFET采用強化的工藝流程制造,對制造工藝進行了嚴格控制。

      今天發(fā)布的器件是一款采用PowerPAK® SC-70 (SMMA511DJ)封裝的N溝道和P溝道12V MOSFET,及一款采用PowerPAK SC75 (SMMB912DK)封裝的20V雙N溝道MOSFET。通過對每個批次的產品施加強化的質量控制閥:統(tǒng)計箱限制(SBL)、良品率限制(SYL),對晶圓和器件封裝進行部件平均測試(PAT)控制,以及對所有批次的晶圓進行一致可靠性測試,確保新MOSFET獲得區(qū)別于商用器件的高質量和高可靠性。嚴格的SMM醫(yī)療MOSFET工藝流程還包括0.04%的合格質量標準(AQL)。

      新MOSFET的應用將包括送藥系統(tǒng)、除顫器、起搏器、助聽器和其他植入式設備中的負載切換。器件的小封裝尺寸(SMMA511DJ為2mmx2mm,SMMB912DK為1.6mmx1.6mm)將有助于節(jié)省小型醫(yī)療設備中的空間,同時其低至0.4Ω的超低導通電阻能夠降低傳導損耗,從而延長電池壽命。

關鍵的器件規(guī)格見下表: 

型號

SMMA511DJ

SMMB912DK

封裝

PowerPAK SC-70

PowerPAK SC-75

類型

N溝道

P溝道

雙N溝道

VDS (V)

12

- 12

20

RDS(ON) @ 4.5 V (Ω)

0.040

0.070

0.215

RDS(ON) @ 2.5 V (Ω)

0.048

0.100

0.268

RDS(ON) @ 1.8 V (Ω)

0.063

0.140

0.375

 

      不斷擴大的Vishay Siliconix SMM醫(yī)療MOSFET系列包括采用各種封裝尺寸的N溝道、P溝道,以及N溝道和P溝道成對配置的器件。

      SMMA511DJ和SMMB912DK現可提供樣品,將于2010年4季度實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十六周。

VISHAY簡介

      Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業(yè)”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)(二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器、傳感器及轉換器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。(這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備)。憑借產品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站 www.vishay.com。

 

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