LED照明作為節(jié)能環(huán)保戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，受到國家和各級地方政府的高度重視。隨著技術(shù)的進(jìn)步，LED照明產(chǎn)業(yè)必將成為未來電子信息產(chǎn)業(yè)新的增長點(diǎn)。那么“十二五”期間應(yīng)從哪些方面入手，強(qiáng)化自主創(chuàng)新，發(fā)展我國LED照明產(chǎn)業(yè)？通過多方調(diào)查，建議應(yīng)從以下三個(gè)方面給予重點(diǎn)支持：

    第一、完善和發(fā)展硅襯底LED技術(shù)；     

    第二、支持核心裝備MOCVD國產(chǎn)化；     

    第三、進(jìn)一步推進(jìn)大功率白光LED技術(shù)進(jìn)步。     

      未來5年，只有下大力氣支持擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的LED技術(shù)發(fā)展，同時(shí)突破上游核心裝備和材料瓶頸，推動大功率白光LED的應(yīng)用，才能掌握發(fā)展主動權(quán)，也才能闖出一條區(qū)別于發(fā)達(dá)國家的具有鮮明國際特色的LED照明技術(shù)發(fā)展之路，形成我國自成體系的具有國際競爭力的LED照明產(chǎn)業(yè)，為我國節(jié)能減排作出貢獻(xiàn)。     

      按照LED上游材料制備所用的襯底劃分，目前已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的有三種技術(shù)路線，即藍(lán)寶石襯底半導(dǎo)體照明、碳化硅襯底半導(dǎo)體照明和硅襯底半導(dǎo)體照明。其中前兩條技術(shù)路線的核心專利主要掌握在日亞、豐田合成、科銳、歐司朗、飛利浦等日美歐幾大巨頭企業(yè)手中，我國企業(yè)所申請的專利主要集中于外圍，保護(hù)范圍小。由于沒有核心專利，產(chǎn)品銷售至國外市場受到專利限制。而硅襯底LED技術(shù)是我國高科技領(lǐng)域?yàn)閿?shù)不多的擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的原創(chuàng)技術(shù)，南昌大學(xué)突破了硅襯底LED數(shù)十項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，研發(fā)成功硅襯底LED材料與芯片，并已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。     

      目前國際上許多單位或研究機(jī)構(gòu)加大了硅襯底半導(dǎo)體照明技術(shù)的研發(fā)步伐，上述LED業(yè)界幾大巨頭及臺積電、三星等都正在進(jìn)行硅襯底LED研發(fā)。目前，在硅襯底LED技術(shù)和產(chǎn)業(yè)兩方面，我國領(lǐng)先世界。如果要繼續(xù)保持領(lǐng)先水平，“十二五”期間就一定要加大支持力度，讓中國在未來LED照明領(lǐng)域成為引領(lǐng)者而不是追隨者，支持硅襯底LED技術(shù)發(fā)展不應(yīng)猶豫和徘徊。目前，硅襯底LED產(chǎn)品已到達(dá)了前兩條技術(shù)路線產(chǎn)品的中上水平，距一流水平還有一些難題要攻克，因此，國家的支持與投入對中國LED照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義重大。     

      此外，對于上游核心裝備MOCVD的研究應(yīng)重視。國內(nèi)目前尚無法提供MOCVD生產(chǎn)型設(shè)備。面對這樣一個(gè)局面，下大力氣支持核心裝備MOCVD國產(chǎn)化已經(jīng)是刻不容緩。現(xiàn)在啟動MOCVD設(shè)備國產(chǎn)化項(xiàng)目，將完全有可能在今后幾代MOCVD設(shè)備制造上獲得主動權(quán)。