韓半導體業(yè)認為下半年存儲器芯片市況不明

時間:2011-07-07

來源:網(wǎng)絡轉載

導語:南韓三星電子(Samsung Electronics) DS(Device Solution)事業(yè)總括部門社長權五鉉,及海力士(Hynix)社長權五哲等南韓半導體業(yè)界大老近期均異口同聲表示,2011年下半內(nèi)存芯片市況將不透明。

      南韓三星電子(Samsung Electronics) DS(Device Solution)事業(yè)總括部門社長權五鉉,及海力士(Hynix)社長權五哲等南韓半導體業(yè)界大老近期均異口同聲表示,2011年下半內(nèi)存芯片市況將不透明。權五鉉表示,一般來說,下半年內(nèi)存芯片市況應會比上半年好,然而近來變量相當多。2011年下半可能會與上半相同,半導體價格可能會大幅攀升,也可能沒有任何表現(xiàn)。

    權五哲也表示,美國經(jīng)濟恢復緩慢,且加上日本311地震、大陸緊縮政策、中東北非局勢不穩(wěn)定、歐洲金融危機等,目前有許多全球性問題未獲解決。由于內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)是受景氣影響大的產(chǎn)業(yè),因此市況仍不透明,而內(nèi)存芯片價格最有可能在2011年第3季末或第4季間出現(xiàn)反彈,然而目前仍無法肯定。

    如同南韓半導體業(yè)界各首長所擔憂的,近來內(nèi)存芯片價格無法擺脫跌幅。據(jù)市調機構DRAMeXange統(tǒng)計,DRAMDDR31Gb產(chǎn)品6月下半合約價,較6月上半下滑5.71%,為0.92美元。6月下半主要DRAM產(chǎn)品價格較5月下半滑落3.92%,此外,DRAM2Gb產(chǎn)品也較6月下半下滑5.83%至1.94美元,和1Gb產(chǎn)品同樣連續(xù)2個計算周期呈現(xiàn)下滑局面。

    在日本311地震后,PC制造業(yè)者積極確保DRAM貨量,使價格暫時出現(xiàn)升幅,然因全球經(jīng)濟議題影響,PC需求不振,PC業(yè)者減少DRAM庫存,使DRAM價格回到跌幅。  

    外電指出,即使內(nèi)存芯片價格下滑,在DRAM業(yè)界站穩(wěn)地位的三星和海力士,相較于海外內(nèi)存芯片競爭廠,仍可望維持高收益性。

    南韓KiwoomSecurities常務表示,三星和海力士使用40~30奈米等級制程生產(chǎn)DRAM,積極撙節(jié)成本,即使目前1GbDRAM交易價格約0.8美元,韓廠仍能維持充分的收益。

     南韓業(yè)界表示,三星半導體事業(yè)2011年第2季和第3季預估將各創(chuàng)造2兆韓元(約18.78億美元)及2.3兆韓元(約21.6億美元)營業(yè)利益。海力士第2季和第3季也將各有3,200億韓元(約3億美元)及4,700億韓元(約4.4億美元)營業(yè)利益,持續(xù)提升收益。

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