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XH018 嵌入式閃存(eFlash) 工藝為高階系統(tǒng)芯片(SoCs)提供業(yè)界最具性價(jià)比的高壓整合方案

2011年7月5日，德國(guó)艾爾福特(Erfurt) – X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高壓工藝上增加高可靠性的嵌入式閃存(eFlash)方案。此方案提供了業(yè)界最少的光罩版數(shù)，32層，其中包含數(shù)字、模擬、高壓元件、并閃存，而閃存只要額外2層光罩。對(duì)高階片上混合信號(hào)系統(tǒng)芯片(SoCs)，此方案具有極高的性價(jià)比，其中的45V高壓元件與嵌入式內(nèi)存，EEPROM、非揮發(fā)性隨機(jī)內(nèi)存(NVRAM) 、嵌入式閃存(eFlash)，更適用于高速微處理器、數(shù)字電源、和車用電子。

X-FAB將于2011年7月13日舉辦一場(chǎng)免費(fèi)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)來討論此項(xiàng) ”簡(jiǎn)單且可靠的非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM) – 0.18um的嵌入式閃存(eFlash)與嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(eNVM)”

兩種不同的內(nèi)存模塊 – 8K x 32-bit 和 16K x 32bit –新的XH018嵌入式閃存(eFlash)方案

易于整合、快速存取，并且比非嵌入式內(nèi)存更耐用。此方案包含糾錯(cuò)碼(ECC)的功能，允許程序在執(zhí)行的同時(shí)修正錯(cuò)誤。在1.8V或3.3V工作電壓下，提供50nS快速讀取，并且不受溫度、工作電壓和工藝漂移的影響，而且支援低功耗(200uA/MHz) 、高溫讀取(攝氏175度)的特性。

XFAB 總裁Rudi De Winter表示：“客戶告訴我們，他們要用嵌入式閃存eFlash技術(shù)作為平臺(tái)來研發(fā)整個(gè)系列的產(chǎn)品。有了我們XH018嵌入式閃存(eFlash)方案，客戶可以非常容易地修改軟件來根據(jù)應(yīng)用改變產(chǎn)品的性能與定義。因此，客戶只要有一個(gè)高可靠性與高整合性的電路架構(gòu)，就

可以開發(fā)整個(gè)系列的產(chǎn)品。對(duì)于講求性價(jià)比與復(fù)雜性的片上系統(tǒng)芯片(SoCs)，XH018嵌入式閃存(eFlash)方案提供一項(xiàng)完美且包含高壓制程的組合?！?/p>

XH018嵌入式閃存(eFlash)方案也結(jié)合X-FAB已有的嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)，包含一次性可編程(OTP)與非揮發(fā)性隨機(jī)內(nèi)存(NVRAM)。XFAB更提供編譯工具幫助工程師依據(jù)自身的需要來定義內(nèi)存的使用。

XH018嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)的設(shè)計(jì)套件與IP已開放授權(quán)并可在X-FAB技術(shù)中心(X-TIC)下載使用，其中EEPROM將于2011年第四季度開放授權(quán)。而整套的電路模塊正在進(jìn)行綜合地測(cè)試以通過最后的合格驗(yàn)證。X-FAB計(jì)劃于2012年年初提供另外不同尺寸的內(nèi)存及高溫的特性數(shù)據(jù)。