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研究人員在半導體電路等級上觀察量子效應

時間：2007-08-20

來源：中國傳動網

導語：首次在半導體的微影規(guī)模（lithographicscale）上掌握了磁量子（magneticquantum）效應。

美國國家標準與技術研究所（NationalInstituteofStandardsandTechnology，NIST）與英國ISIS粒子加速器（particleaccelerator）的研究人員，首次在半導體的微影規(guī)模（lithographicscale）上掌握了磁量子（magneticquantum）效應。 根據上述的國際研究團隊的報告，研究人員把100個釔鋇鎳氧化物（atomsofyttriumbariumnickeloxide）鏈接起來，成為一條量子自旋串（spin-chain），因而有效地把30nm長的磁分子轉換為一個單一組件。所觀察到的量子效應有可能構成不同尋常的大磁分子，可作為未來半導體電路中的開關（switch）、內存或運算單元。 量子機械學已經使微小的原子級（atomic-scale）現象能夠由電子電路控制，從Orion量子計算機和量子串聯雷射（quantumcascadelaser）中的量子點（quantumdots），到金屬絕緣體電子學（metal-insulatorelectronics）的量子井（quantumwells）。 在30nm的等級上對磁量子自旋串的觀測，可能使微影技術更易于控制將來半導體電路中的分子級量子效應（molecular-scalequantumeffects）。該實驗是在美國NIST中子研究中心以及在英國的RutherfordAppletonLaboratory的ISIS粒子加速器上完成。
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