幾十年來(lái)，微電子技術(shù)促進(jìn)了傳感器技術(shù)的發(fā)展。因此，全行業(yè)必須樹(shù)立創(chuàng)新意識(shí)，大力加強(qiáng)新型傳感器的開(kāi)發(fā)，提高產(chǎn)品的性?xún)r(jià)比，加快科研成果的轉(zhuǎn)化，加快新型傳感器的產(chǎn)業(yè)化，迅速提高國(guó)產(chǎn)傳感器的市場(chǎng)占有率。

　　目前，我國(guó)傳感器行業(yè)規(guī)模較小，應(yīng)用范圍較窄。為此，我們亟須轉(zhuǎn)變觀念，將傳感器的研發(fā)由單一物性型傳感器的研發(fā)，轉(zhuǎn)化為高度集成的新型傳感器研發(fā)。新型傳感器的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用已成為現(xiàn)代系統(tǒng)的核心和關(guān)鍵，它將成為21世紀(jì)信息產(chǎn)業(yè)新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)。品種規(guī)格已有近6000種。

　　我國(guó)早在20世紀(jì)60年代就開(kāi)始涉足傳感器制造業(yè)。我國(guó)在1972年組建成立中國(guó)第一批壓阻傳感器研制生產(chǎn)單位；1974年，研制成功中國(guó)第一個(gè)實(shí)用壓阻式壓力傳感器；1978年，誕生中國(guó)第一個(gè)固態(tài)壓阻加速度傳感器；1982年，國(guó)內(nèi)最早開(kāi)始硅微機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)加工技術(shù)和SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的研究。

　　進(jìn)入20世紀(jì)90年代后，硅微機(jī)械加工技術(shù)的絕對(duì)壓力傳感器、微壓傳感器、呼吸機(jī)壓傳感器、多晶硅壓力傳感器、低成本TO-8封裝壓力傳感器等相繼問(wèn)世并實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)。

　　改革開(kāi)放30年來(lái)，我國(guó)傳感器技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)取得了長(zhǎng)足進(jìn)步，主要表現(xiàn)在：建立了傳感技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、微米/納米國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家傳感技術(shù)工程中心等研究開(kāi)發(fā)基地；MEMS、MOEMS(微光機(jī)電系統(tǒng))等研究項(xiàng)目列入了國(guó)家高新技術(shù)發(fā)展重點(diǎn)；在“九五”國(guó)家重點(diǎn)科技攻關(guān)項(xiàng)目中，傳感器技術(shù)研究取得了51個(gè)品種86個(gè)規(guī)格新產(chǎn)品的成績(jī)，初步建立了敏感元件與傳感器產(chǎn)業(yè)；2007年傳感器業(yè)總產(chǎn)量達(dá)到20.93億只，品種規(guī)格已有近6000種，并已在國(guó)民經(jīng)濟(jì)各部門(mén)和國(guó)防建設(shè)中得到一定應(yīng)用。

　　我國(guó)在20世紀(jì)80年代末就將傳感器列入國(guó)家高新技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)，經(jīng)過(guò)“八五”、“九五”和“十五”的攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化建設(shè)，目前全國(guó)已有2000多家企事業(yè)單位從事傳感器的研制、生產(chǎn)和應(yīng)用。由于經(jīng)濟(jì)發(fā)展水平和生產(chǎn)研發(fā)資金的限制，我國(guó)傳感器行業(yè)總體技術(shù)水平還是相對(duì)比較落后的，規(guī)模和應(yīng)用領(lǐng)域都較小。今天活躍在國(guó)際市場(chǎng)上的仍然是德國(guó)、日本、美國(guó)、俄國(guó)等老牌工業(yè)國(guó)家的企業(yè)。在這些國(guó)家里，傳感器的應(yīng)用范圍很廣，許多廠家的生產(chǎn)都實(shí)現(xiàn)了規(guī)模化，有些企業(yè)的年生產(chǎn)能力達(dá)到幾千萬(wàn)只甚至幾億只。相比之下，中國(guó)傳感器的應(yīng)用范圍較窄，更多的應(yīng)用仍然停留在工業(yè)測(cè)量與控制等基礎(chǔ)應(yīng)用領(lǐng)域。

　　微電子推動(dòng)傳感器發(fā)展

　　幾十年來(lái)，微電子技術(shù)促進(jìn)了傳感器技術(shù)的發(fā)展。未來(lái)10年～20年，傳統(tǒng)硅技術(shù)將進(jìn)入成熟期(預(yù)計(jì)在2014年～2017年)。從總體發(fā)展看，傳統(tǒng)硅技術(shù)市場(chǎng)將一直延續(xù)到2047年(即晶體管發(fā)明100周年)才趨于飽和(即達(dá)到芯片特征尺寸的極限)并衰退。而當(dāng)前微電子技術(shù)仍將依循“等縮比原理”和“摩爾定律”兩條基礎(chǔ)定律走下去，在逼近傳統(tǒng)硅技術(shù)極限中，不斷擴(kuò)展硅的跨學(xué)科橫向應(yīng)用(如MEMS等)和更先進(jìn)應(yīng)用(量子、分子器件)。而上述微電子技術(shù)的兩大發(fā)展方向正是當(dāng)前乃至未來(lái)20年傳感器技術(shù)的主要發(fā)展方向。目前，傳感器行業(yè)呈現(xiàn)八大發(fā)展趨勢(shì)，即傳感器的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展模式、傳感器產(chǎn)品全面、協(xié)調(diào)、持續(xù)發(fā)展、企業(yè)生產(chǎn)規(guī)模(年生產(chǎn)能力)向規(guī)模經(jīng)濟(jì)發(fā)展、生產(chǎn)格局向?qū)I(yè)化方向發(fā)展、傳感器大生產(chǎn)技術(shù)向自動(dòng)化方向發(fā)展、企業(yè)的重點(diǎn)技術(shù)改造應(yīng)向引進(jìn)技術(shù)的消化吸收與自主創(chuàng)新的方向轉(zhuǎn)變、企業(yè)經(jīng)營(yíng)要加快從國(guó)內(nèi)市場(chǎng)為主向國(guó)內(nèi)與國(guó)外兩個(gè)市場(chǎng)相結(jié)合的國(guó)際化方向發(fā)展、企業(yè)將向“大、中、小并舉”、“集團(tuán)化、專(zhuān)業(yè)化生產(chǎn)共存”的格局發(fā)展。

　　因此，全行業(yè)必須樹(shù)立創(chuàng)新意識(shí)，大力加強(qiáng)新型傳感器的開(kāi)發(fā)，提高產(chǎn)品的性?xún)r(jià)比，加快科研成果的轉(zhuǎn)化，加快新型傳感器的產(chǎn)業(yè)化，迅速提高國(guó)產(chǎn)傳感器的市場(chǎng)占有率，縮小與發(fā)達(dá)國(guó)家的差距，同時(shí)，也要考慮走聯(lián)合之路，吸引國(guó)外先進(jìn)的技術(shù)和工藝，壯大自己的科技實(shí)力。