我們注意到目前全球風(fēng)力和太陽(yáng)能光伏發(fā)電的發(fā)展速度相當(dāng)快中國(guó)也在快步跟上。在中國(guó)風(fēng)電市場(chǎng)，從600KW到1.5MW、2.0MW風(fēng)機(jī)只花了短短的數(shù)年時(shí)間，目前2.5MW、3.6MW和5MW風(fēng)機(jī)也正在開發(fā)中。太陽(yáng)能光伏發(fā)電的應(yīng)用在中國(guó)還處于起步階段，主要以太陽(yáng)能電廠為主，采用集中式逆變器并網(wǎng)發(fā)電。2012年，隨著政策鼓勵(lì)以及人們節(jié)能環(huán)保意識(shí)提高的推動(dòng)，相信這兩個(gè)市場(chǎng)將繼續(xù)保持飛速發(fā)展。

　　在未來(lái)，從風(fēng)電來(lái)看，提高單機(jī)功率是個(gè)趨勢(shì)，尤其離岸和潮汐帶的風(fēng)力資源決定需要大功率風(fēng)機(jī)，以提高資源利用率。這就需要更大電流、更高電壓的功率半導(dǎo)體器件，主要是高壓大電流的IGBT模塊和功率組件Stack。

　　由于風(fēng)電是一種極其不穩(wěn)定的能源，作為風(fēng)能的變換和控制關(guān)鍵器件，IGBT模塊會(huì)承受功率和溫度的頻繁變化，這會(huì)使得IGBT壽命縮短。在IEC60747定義了相關(guān)壽命參數(shù)，即功率周次和溫度周次，這是IGBT模塊的重要可靠性指標(biāo)。

　　對(duì)于太陽(yáng)能光伏發(fā)電，功率器件的效率更重要，它們也在不斷發(fā)展中，如構(gòu)槽柵場(chǎng)終止技術(shù)FieldStopIGBT、HighSpeed3IGBT、CoolMOS、碳化硅二極管SiC在高能效的太陽(yáng)能逆變器有出色的表現(xiàn)。

　　對(duì)于風(fēng)電和太陽(yáng)能，控制器、變流器的壽命，以及平均無(wú)故障時(shí)間很重要，這是由器件和系統(tǒng)設(shè)計(jì)決定的，一般的平均設(shè)計(jì)壽命要求在20年以上。風(fēng)電和太陽(yáng)能系統(tǒng)對(duì)環(huán)境適應(yīng)性要求高，如極端氣溫條件、沿海地帶、高海拔地區(qū)等。當(dāng)然轉(zhuǎn)換效率也是十分重要的，直接關(guān)系到電廠的盈利。

　　電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能、風(fēng)能等新能源行業(yè)要求系統(tǒng)的設(shè)計(jì)經(jīng)濟(jì)、高效、可靠。作為全球功率半導(dǎo)體的領(lǐng)軍企業(yè)，英飛凌的CoolMOS、OptiMOS、IGBT和碳化硅等功率器件，多年來(lái)因其穩(wěn)定、突出的能效而備受電力電子行業(yè)推崇，將迎合上述系統(tǒng)要求而大顯身手。

　　面對(duì)蓬勃發(fā)展的中國(guó)新能源市場(chǎng)，英飛凌將投入更多的資源為中國(guó)新能源市場(chǎng)服務(wù)：推出更優(yōu)秀的產(chǎn)品，例如CoolMOSC7系列和IGBTHighSpeed3系列等;組建更專業(yè)高效的本地化服務(wù)團(tuán)隊(duì);并開展與國(guó)內(nèi)一流高校和企業(yè)的項(xiàng)目合作及技術(shù)交流等。

　　為了應(yīng)對(duì)中國(guó)電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能、風(fēng)能等新能源行業(yè)的迅猛發(fā)展，英飛凌做好了充分的準(zhǔn)備，并在以下三個(gè)技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)開展創(chuàng)新性的研究：

　　一是器件技術(shù)的創(chuàng)新。英飛凌HighSpeed3IGBT引領(lǐng)人們對(duì)分立IGBT有了新認(rèn)識(shí)，這種技術(shù)及其后續(xù)研究將對(duì)降低IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷損耗持續(xù)進(jìn)行突破創(chuàng)新，從而使新能源的系統(tǒng)設(shè)計(jì)更經(jīng)濟(jì)、高效。同時(shí)，我們正持續(xù)改進(jìn)硅技術(shù)，為業(yè)界提供新一代CoolMOS和OptiMOS。此外，寬帶隙技術(shù)也是我們的研發(fā)重點(diǎn)，其中的碳化硅材料，已在英飛凌的碳化硅二極管產(chǎn)品上展示出令人鼓舞的效果，即將推出的碳化硅JFET也將進(jìn)一步開創(chuàng)功率半導(dǎo)體的新紀(jì)元。

　　二是硅片制造工藝技術(shù)的創(chuàng)新。英飛凌的IGBT在70微米的晶圓上制造而成，其厚度僅相當(dāng)于人類的頭發(fā)絲，這種工藝技術(shù)有效改善了IGBT的導(dǎo)通壓降和器件的熱特性。英飛凌正在把300毫米直徑的晶圓技術(shù)應(yīng)用于分立功率器件，這將顯著提升我們的產(chǎn)能以支持目前業(yè)界的巨大需求，同時(shí)進(jìn)一步提高我們產(chǎn)品的性價(jià)比。

　　三是封裝技術(shù)的創(chuàng)新。先進(jìn)的封裝技術(shù)可以進(jìn)一步支持我們的器件運(yùn)用于實(shí)際應(yīng)用。英飛凌把CoolMOS裝進(jìn)超薄的“ThinPAK8×8”封裝里，這使得我們最新的芯片技術(shù)可以在實(shí)際應(yīng)用中更為有效地發(fā)揮優(yōu)勢(shì)。

　　除了技術(shù)的創(chuàng)新，英飛凌還針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用提供全面的解決方案。比如，基于對(duì)汽車電子的深厚積累，我們針對(duì)新能源電動(dòng)汽車開發(fā)了3.6kW車載充電器，效率高達(dá)95%，體積只有3.6升，重量不足3.5kg，是目前業(yè)界最高效、最高功率密度的解決方案。