日前，中環(huán)股份發(fā)布了晶硅材料三類新產(chǎn)品，國內(nèi)首顆8英寸區(qū)熔硅單晶、直拉區(qū)熔高效太陽能電池用單晶硅和8英寸〈1晶向直拉單晶硅。據(jù)悉，這三項技術的成功突破，打破了國外對8英寸區(qū)熔單晶硅生長技術的封鎖。將進一步提升中國企業(yè)在這兩個領域的競爭力，加速產(chǎn)業(yè)升級。
據(jù)了解，區(qū)熔單晶硅已成為IGBT的主體功能性材料。IGBT是新一代的功率半導體器件，其技術應用的核心是通過電源頻率調(diào)制實現(xiàn)整機、裝置的控制和節(jié)能，其產(chǎn)品應用已覆蓋高速機車、新能源汽車、工業(yè)節(jié)能、新能源、節(jié)能家電等領域。2010年中國IGBT市場規(guī)模約70億元，未來預計將以25%以上的速度增長。目前全球有近20家區(qū)熔單晶硅制造商，其中前5位公司壟斷了全球產(chǎn)量95%以上。中環(huán)股份占據(jù)第三位，這次宣布拉制出的8英寸區(qū)熔單晶硅是國內(nèi)首例。
中環(huán)股份以半導體單晶硅材料、單晶硅光伏產(chǎn)品和半導體器件為主營業(yè)務。是國內(nèi)歷史最悠久、綜合技術實力最雄厚、產(chǎn)品種類最豐富的單晶硅材料制造企業(yè)。盡管今年全球光伏產(chǎn)業(yè)面臨產(chǎn)能過剩及行業(yè)洗牌，但中環(huán)股份仍宣布將憑借最新技術新一代直拉區(qū)熔法進軍高效太陽能電池單晶硅領域。推動行業(yè)產(chǎn)業(yè)升級發(fā)展
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