IEDM群英薈萃 臺(tái)積電32奈米測試芯片獨(dú)放異彩

時(shí)間:2007-12-13

來源:中國傳動(dòng)網(wǎng)

導(dǎo)語:IEDM群英薈萃 臺(tái)積電32奈米測試芯片異彩紛呈

IEDM群英薈萃 臺(tái)積電32奈米測試芯片異彩紛呈 據(jù)境外媒體報(bào)道,11日位在美國華盛頓特區(qū)舉辦的國際電子元件大會(huì)(IEDM)中群雄蕓集,幾大半導(dǎo)體巨頭紛紛發(fā)表演講,展現(xiàn)新技術(shù)實(shí)力。IEDM與ISSCC、VLSI是3個(gè)國際級(jí)半導(dǎo)體元件年度技術(shù)論文的發(fā)表大會(huì),每年幾乎各知名學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)、半導(dǎo)體業(yè)者皆以其最新、最先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與技術(shù)參與發(fā)表論文,從中也可一窺未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先端技術(shù)、市場發(fā)展端倪。 此次IEDM中,臺(tái)積電高度參與,宣布其第1顆32奈米制程測試芯片已正式通過內(nèi)部功能驗(yàn)證,未來將可同時(shí)支持單芯片中數(shù)碼、類比電路。外界預(yù)料,以臺(tái)積電每2年發(fā)展1個(gè)制程世代的進(jìn)程估算,32奈米制程芯片已具雛形,最快可在2009年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 臺(tái)灣媒體表示,除了臺(tái)積電高度參與,董事長張忠謀親身赴會(huì)演講,國際級(jí)半導(dǎo)體大廠包括英特爾(Intel)、IBM及三星電子(Samsung Electronics)也不惶多讓,也藉由IEDM展現(xiàn)其技術(shù)實(shí)力。英特爾方面,主要是著重于其45奈米及32奈米制程高溫下采用高介電系數(shù)材料及金屬閘極技術(shù)發(fā)表、及關(guān)于相變化存儲(chǔ)器和快閃存儲(chǔ)器技術(shù);IBM則著重45奈米與65奈米絕緣層上覆矽(SOI)超低漏電制程;韓國三星則發(fā)表關(guān)于40奈米存儲(chǔ)器制程與先進(jìn)半導(dǎo)體材料技術(shù)。
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