產(chǎn)品頻道

      化成箔是生產(chǎn)鋁電解電容器的關(guān)鍵原材料。隨著電子工業(yè)飛速發(fā)展，鋁電解容器的使用更加廣泛，小型化、長壽命、高可靠的要求日益迫切，而化成箔加工技術(shù)成為鋁電解電容器制造的三大核心技術(shù)之一。高比容鋁箔屬國家鼓勵和支持的新型電子功能材料，是制造鋁電解電容器的關(guān)鍵原材料，屬于中間產(chǎn)品，融合了機(jī)械、電子、化工、金屬材料等多學(xué)科技術(shù)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)。腐蝕賦能鋁箔的比容是制約大容量鋁電解電容器體積的關(guān)鍵所在，高比容、高強(qiáng)度是電容器用化成鋁箔今后發(fā)展的技術(shù)趨勢。

     化成箔的完整產(chǎn)業(yè)鏈為：精鋁（高純度鋁錠）--電子鋁箔（光箔）--腐蝕箔――化成箔--鋁電解電容器--電子整機(jī)。化成箔的品質(zhì)關(guān)系著電容器的使用壽命，間接的影響電子整機(jī)的使用壽命。因此，化成箔的品質(zhì)對整個電子工業(yè)的發(fā)展都具有深刻的意義。

     腐蝕箔的工藝流程為：電子鋁箔（光箔）--退火--前處理--電化學(xué)腐蝕--化學(xué)腐蝕--水洗--烘干--腐蝕箔?；刹墓に嚵鞒虨椋焊g箔--前處理--第一級化成--第二級化成--第三級化成--高溫處理--精加工--烘干--化成箔。電子鋁材料加工主要為化學(xué)加工，技術(shù)壁壘和毛利率都較高。尤其是高純鋁和化成箔，前者的高純度要求和后者精細(xì)的電學(xué)性能要求使這兩種產(chǎn)品的進(jìn)入壁壘較高。

     化成箔按照其電壓大小可分為低壓化成箔（化成電壓一般在幾十伏到180V）；中壓化成箔（化成電壓一般在200V伏到500V）;高壓化成箔（化成電壓一般在500V到1000V）。

     在化成工藝中都會用到大功率直流電源，即電容器鋁箔專用大功率化成電源。以前各家化成企業(yè)主要采用可控硅整流器，該類型的整流器采用了五芯柱變壓器、高壓大功率晶閘管等技術(shù)，并且有恒壓、恒流和恒電流密度等特性。但是由于使用工頻變壓器和工作在低頻段，所以整流器體積大、重量重、效率低，性能的進(jìn)一步提高也受到電體積的限制。20世紀(jì)80年代以后，國內(nèi)外相繼研制出第四代直流電源--高頻開關(guān)電源。變流裝置中的普通晶閘管逐漸被新型器件如電力晶體管(GTR)、場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等取代。以MOSFET和IGBT為功率器件的整流器工作頻率提高至20～50KHZ,所以該類整流器又稱為高頻開關(guān)電源。其工作過程是將整流后的直流電源，逆變成高頻交流電源，再經(jīng)整流后獲得直流電源。由于采用的是高頻率開關(guān)工作模式，所以變壓器的體積和器件的功耗大大降低，功率因數(shù)和運(yùn)行效率大大提高，是目前整流電源的發(fā)展方向。隨著IGBT器件功率增加、耐壓提高和應(yīng)用技術(shù)的日益成熟，IGBT必將在大多領(lǐng)域中取代晶閘管（SCR），以達(dá)到高效、節(jié)能目的。