供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 LPCVD設(shè)備 非標(biāo)定制 小型/生產(chǎn)型LPCVD設(shè)備
產(chǎn)品型號(hào)非標(biāo)定制
廠(chǎng)商性質(zhì)系統(tǒng)集成商
公司名稱(chēng)鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司
地 址留仙大道3370號(hào)南山智園崇文園區(qū)3號(hào)樓304
企業(yè)信息
普通會(huì)員第2年
公司類(lèi)型:系統(tǒng)集成商
主運(yùn)營(yíng):熱絲CVD金剛石設(shè)備、高真空磁控濺射儀、分子束外延...
所在地區(qū):深圳市
注冊(cè)時(shí)間:2023-03-22
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小型LPCVD設(shè)備是在低壓高溫的條件下,通過(guò)化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)??捎糜诳茖W(xué)研究、實(shí)踐教學(xué)、小型器件制造。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)
1、小型化,方便實(shí)驗(yàn)室操作和使用,大幅降低實(shí)驗(yàn)成本
兩種基片尺寸2英寸或4英寸;每次裝片1~3片。
基片放置方式:配置三種基片托架,豎直、水平臥式、帶傾角。
基片形狀類(lèi)型:不規(guī)則形狀的散片、φ2~4英寸標(biāo)準(zhǔn)基片。
2、設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu)
由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。
反應(yīng)室由高純石英制成,耐*腐*蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設(shè)備電控部分采用了*先*進(jìn)*的檢測(cè)和控制系統(tǒng),量值準(zhǔn)確,性*能*穩(wěn)*定、可靠。
設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)
成膜類(lèi)型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等
溫度 1200℃
恒溫區(qū)長(zhǎng)度 根據(jù)用戶(hù)需要配置
恒溫區(qū)控溫精度 ≤±0.5℃
工作壓強(qiáng)范圍 13~1330Pa
膜層不均勻性 ≤±5%
基片每次裝載數(shù)量 標(biāo)準(zhǔn)基片:1~3片;不規(guī)則尺寸散片:若干
壓力控制 閉環(huán)充氣式控制
裝片方式 手動(dòng)進(jìn)出樣品
生產(chǎn)型LPCVD該設(shè)備是在低壓高溫的條件下,通過(guò)化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。
可提供相關(guān)鍍膜工藝。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點(diǎn):
設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu),由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。
反應(yīng)室由高純石英制成,耐*腐*蝕、抗*污*染、漏率小、適合于高溫使用; 設(shè)備電控部分采用了先進(jìn)的檢測(cè)和控制系統(tǒng),量值準(zhǔn)確,性*能*穩(wěn)*定、可靠。
整個(gè)工藝過(guò)程由計(jì)算機(jī)對(duì)全部工藝流程進(jìn)行管理,實(shí)現(xiàn)爐溫、氣體流量、壓力、閥門(mén)動(dòng)作、泵的啟閉等工藝參數(shù)進(jìn)行監(jiān)測(cè)和自動(dòng)控制。也可以手動(dòng)控制。
設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)
成膜類(lèi)型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等
溫度 1200℃
恒溫區(qū)長(zhǎng)度 根據(jù)用戶(hù)需要配置
恒溫區(qū)控溫精度 ≤±0.5℃
工作壓強(qiáng)范圍 13~1330Pa
膜層不均勻性 ≤±5%
基片每次裝載數(shù)量 100片
設(shè)備總功率 16kW
冷卻水用量 2m3/h
壓力控制 閉環(huán)充氣式控制
裝片方式 懸臂舟自動(dòng)送樣
LPCVD軟件控制界面
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