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瑞薩新推出高性能的72Mb QDRTM II+ SRAM和DDR II+ SRAM系列
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瑞薩新推出高性能的72Mb QDRTM II+ SRAM和DDR II+ SRAM系列

產(chǎn)品型號(hào)

廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商

公司名稱瑞薩電子(上海)有限公司

地       址上海市名南路205號(hào)瑞金大廈26樓

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收藏產(chǎn)品

聯(lián)系人:瑞薩科技 86 021 64721001

聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)說(shuō)明是在傳動(dòng)網(wǎng)上看到的,謝謝!

企業(yè)信息

普通會(huì)員18

公司類型: 生產(chǎn)商

主運(yùn)營(yíng):LCD 控制器/驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)器、Standard IC、晶閘管...

所在地區(qū):上海市

注冊(cè)時(shí)間:2007-01-25

產(chǎn)品介紹
  瑞薩科技公司(以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”)在2009年7月7日宣布推出面向新一代通信網(wǎng)絡(luò)內(nèi)高端路由器和交換機(jī)使用的高速SRAM*1產(chǎn)品系列。這些SRAM產(chǎn)品不僅符合QDR聯(lián)盟*2行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求,還實(shí)現(xiàn)了72Mb四倍數(shù)據(jù)速率II+(QDRTM II+)和雙數(shù)據(jù)速率II+(DDRII+)的業(yè)內(nèi)最高工作速度,并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件。整個(gè)器件系列(具有多種速度和配置)將于2009年8月在日本開(kāi)始陸續(xù)進(jìn)行銷售。
  新產(chǎn)品特性如下:  ?。?)業(yè)內(nèi)最高的工作速度:533 MHz(QDRII+和DDRII+ SRAM)和333 MHz(QDRII和DDRII版)   瑞薩大幅提高了新產(chǎn)品的工作速度,同時(shí)還通過(guò)利用先進(jìn)的45nm生產(chǎn)工藝而保持了低壓操作。QDRII SRAM產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的工作速度——333 MHz,QDRII+ SRAM產(chǎn)品也達(dá)到了業(yè)內(nèi)最高的工作速度——533 MHz。這些器件可以支持高端路由器與交換機(jī)(其支持10G、40G和容量更大的多層通信系統(tǒng))內(nèi)的分組查找和包緩沖器應(yīng)用所需的高速處理。  ?。?)大量72Mb器件   瑞薩將為3種數(shù)據(jù)I/O寬度(9、18或36位)和2種突發(fā)長(zhǎng)度(2或4字)的產(chǎn)品提供支持。此外,瑞薩還提供具有內(nèi)置式ODT(晶片上終端電阻)功能的產(chǎn)品,極大地降低了高速操作過(guò)程中可能發(fā)生的信號(hào)質(zhì)量下降。瑞薩豐富的QDRII、DDR II、QDRII+和DDRII+ SRAM產(chǎn)品系列使得用戶能夠選擇最符合其系統(tǒng)要求的解決方案。 < 產(chǎn)品背景資料 >   隨著互聯(lián)網(wǎng)的日益普及,傳輸速度和發(fā)送到通信設(shè)備的信息量也在不斷增加,并且數(shù)據(jù)速率現(xiàn)在已經(jīng)超過(guò)了40Gb/s。檢查數(shù)據(jù)終點(diǎn)和管理高端網(wǎng)絡(luò)設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)包流量的需要不斷推動(dòng)著對(duì)具有高速操作功能的大密度存儲(chǔ)器需求的增長(zhǎng)。并且,數(shù)據(jù)復(fù)雜度也隨視頻、語(yǔ)音和數(shù)據(jù)應(yīng)用而不斷增加,從而需要更大的存儲(chǔ)容量。   目前,瑞薩提供了大量面向工業(yè)應(yīng)用和UNIX*3服務(wù)器與工作站內(nèi)高速緩沖存儲(chǔ)器的SRAM、18Mb網(wǎng)絡(luò)SRAM以及面向通信設(shè)備的36Mb DDRII與QDRII SRAM。隨著網(wǎng)絡(luò)設(shè)備性能和功能的不斷提高,瑞薩利用其設(shè)計(jì)專長(zhǎng)和生產(chǎn)技術(shù)為72Mb QDRII與QDRII+ SRAM產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了更高的速度和高可靠性,從而滿足了通信應(yīng)用對(duì)高速、大容量和大位寬度的需求。 < 產(chǎn)品詳情 >   新產(chǎn)品均提供所有突發(fā)長(zhǎng)度和位寬度組合,并且標(biāo)準(zhǔn)HSTL(高速晶體管邏輯)接口用于超高速同步SRAM.   新產(chǎn)品采用165-引腳塑料FBGA封裝,尺寸為15 mm × 17 mm,具有出色的散熱特性,適于大密度安裝。這些產(chǎn)品符合RoHS指令*4的要求,還提供無(wú)鉛版本。QDR引腳配置支持將來(lái)向高達(dá)288Mb的密度無(wú)縫移植。并且,采用FBGA封裝的產(chǎn)品支持IEEE標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試存取端口和邊界掃描架構(gòu)(IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1-1990),能夠在板級(jí)模塊安裝過(guò)程中實(shí)現(xiàn)交叉連接檢查。   對(duì)于將來(lái)該領(lǐng)域的開(kāi)發(fā),瑞薩制定了長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃,并致力于開(kāi)發(fā)容量更大、性能更高的QDR/DDR SRAM產(chǎn)品以支持不斷變化的用戶需求。 < 注釋 >   Notes:1.四倍數(shù)據(jù)速率II+(QDRII+)和雙數(shù)據(jù)速率II+(DDRII+)SRAM:   QDR SRAM和DDRSRAM在SRAM還寫(xiě)入或讀取與系統(tǒng)時(shí)鐘和反轉(zhuǎn)系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)同步的數(shù)據(jù)信號(hào)的地方采用了DDR技術(shù),同時(shí)還具有來(lái)自于和系統(tǒng)時(shí)鐘同步的處理器或控制器的地址和控制信號(hào)。   因此,這些器件可用實(shí)現(xiàn)2倍于早期同步SRAM的傳送速率。并且,由于輸入和輸出引腳是獨(dú)立的,所以讀/寫(xiě)操作可以同時(shí)進(jìn)行。這使得我們能夠以較高的效率傳送數(shù)據(jù),并且能夠?qū)崿F(xiàn)4倍于早期同步SRAM器件的數(shù)據(jù)速率。   四倍數(shù)據(jù)速率和QDR包含Cypress半導(dǎo)體公司、Integrated Device Technology公司、NEC電子公司、三星電子公司和瑞薩科技公司開(kāi)發(fā)的新產(chǎn)品系列。   2.QDR聯(lián)盟(QDR合作開(kāi)發(fā)小組):   UNIX是Open Group公司在美國(guó)和其它國(guó)家的注冊(cè)商標(biāo)。用的新SRAM架構(gòu)系列。目前,QDR合作開(kāi)發(fā)小組由Cypress半導(dǎo)體公司、Integrated Device Technology公司、NEC電子公司、三星電子公司和瑞薩科技公司組成。這些公司合作開(kāi)發(fā)QDR系列網(wǎng)絡(luò)SRAM。他們?cè)谄渥约旱纳a(chǎn)設(shè)備內(nèi)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)該系列產(chǎn)品,并且根據(jù)他們自己的時(shí)間表開(kāi)發(fā)產(chǎn)品,并且參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。   http://www.qdrconsortium.com/   3.UNIX是Open Group公司在美國(guó)和其它國(guó)家的注冊(cè)商標(biāo)。   4.RoHS指令:歐洲聯(lián)盟(EU)頒布的《電氣、電子設(shè)備中限制使用某些有害物質(zhì)指令》。它于2006年7月1日生效,涉及6種物質(zhì):鉛、汞、鎘、六價(jià)鉻、多溴苯酚(PBB)和多溴聯(lián)苯(PBDE)。  ?。?上述產(chǎn)品名稱、公司名稱或品牌均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。 < 典型應(yīng)用 >   新一代通信設(shè)備,如高端路由器和交換機(jī)

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