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新一代晶圓劃片技木

時(shí)間:2007-12-11 13:36:00來源:lijuan

導(dǎo)語:?芯片在此階斷價(jià)值不斐,幾個(gè)百分點(diǎn)的破片率可能吃掉工廠辛苦創(chuàng)造的利潤(rùn)。
1 傳統(tǒng)劃片技術(shù)所面臨的難題 隨著向輕薄短小的發(fā)展趨勢(shì),IC的封裝也起了很大的變化.如記憶體IC,已由早期的單一chip變成多層chip堆棧的封裝,一顆IC里疊了7、8層芯粒(chip),韓國(guó)三星半導(dǎo)體今年稍早更公開展示了其超薄晶圓的封裝技術(shù)已達(dá)16層的堆棧,而封裝后的尺寸還要比原來同容量的IC更小。因此芯片的厚度也由650μm一路減薄至120、100、75、50、25、20 μm。當(dāng)厚度降到100 μm以卜,傳統(tǒng)的劃片技術(shù)已經(jīng)山現(xiàn)問題,產(chǎn)能節(jié)節(jié)下降,破片率大幅攀升。芯片在此階斷價(jià)值不斐,幾個(gè)百分點(diǎn)的破片率可能吃掉工廠辛苦創(chuàng)造的利潤(rùn)。 另外,晶圓的制造技術(shù)中,為了提升效能,采用了low-k材料,在其結(jié)構(gòu)中有多層的金屬和一些易碎的材料。當(dāng)傳統(tǒng)鉆石刀片遇到這些延展性高的金屬層,鉆石顆粒極易被金屬削包住而失去部份切削能力,在此情況下進(jìn)刀,極易造成破片或斷刀。 其實(shí),除了先進(jìn)的IC之外,在傳統(tǒng)二極管(Diode)的晶圓劃片,鉆石刀同樣有許多無法滿足業(yè)界需求的地方:比如Gpp晶圓的劃片,機(jī)械方式的磨削造成玻璃批覆層嚴(yán)重破損而導(dǎo)致絕緣不良和嚴(yán)重漏電,為了克服這一問題,業(yè)界只好自求多福發(fā)展出各種復(fù)雜的工藝去彌補(bǔ)這項(xiàng)缺陷。將玻璃層只長(zhǎng)在切割道(Cutting Street)兩旁。對(duì)方形晶粒而言,這個(gè)方式已被業(yè)界延用多年。但對(duì)六角型晶粒(Hexagonal Dice)而言,還存在問題,即六角型每邊的三角型被浪費(fèi)。在每一分一毫都需計(jì)較的二極體行業(yè),30%~40%主原料(芯片)的損失是極可怕的。通過新的技術(shù),這些長(zhǎng)期以來的失血,是完全可以被止住。 在以藍(lán)寶石為基板的高亮度LED晶圓的劃片.亦存在嚴(yán)重的劃片問題。傳統(tǒng)的藍(lán)寶石晶圓的劃片_豐要有2種方式:用鉆石筆或鉆石刀片。在藍(lán)寶石晶圓上先劃很淺的線,再裂片。由于藍(lán)寶石材質(zhì)本身相當(dāng)硬,無論選哪種方式,工具的損耗都非常嚴(yán)重;裂片后,整體良品率也不高。這些長(zhǎng)期困擾LED、業(yè)界的問題,現(xiàn)在隨著紫外激光劃片系統(tǒng)的運(yùn)用,已大為改善。 在微機(jī)電(MEMS)方面,有越來越多的芯片需要打孔、異形孔開孔和局部減薄等加工。玻璃與硅片鍵合在一起的復(fù)合芯片的切割、披覆有鉆石層的芯片,以及復(fù)雜微結(jié)構(gòu)之芯片切割等,都不是鉆石刀片所能勝任的。而這些產(chǎn)品的市場(chǎng)需求卻不斷成長(zhǎng),迫使業(yè)界尋找新一代的劃片解決方案。 2 激光劃片順勢(shì)崛起 激光劃片其實(shí)在多年前已被使用,光源多為1 064 nm的Nd:YAG,在某些低階應(yīng)用方面的品質(zhì)尚可接受,但在集成電路的加工處理中,鑒于其過大熱影響區(qū)、污染嚴(yán)重、熱變形嚴(yán)重等缺陷,始終無法被認(rèn)可。近年來,紫外激光技術(shù)漸趨成熟,其切割質(zhì)量比l 064 nm的激光源改進(jìn)很多,特別是在藍(lán)寶石晶圓的劃片應(yīng)用中,其優(yōu)勢(shì)極為明顯,已漸成為業(yè)界主流解決方案。在各類激光解決方案中,最為特殊且鮮為人知的則是世界專利之瑞士微水刀激光技術(shù)。該技術(shù)在許多方面的表現(xiàn)確有其獨(dú)到之處,尤其在消除熱影響區(qū)方面表現(xiàn)優(yōu)異。微水刀激光劃片技術(shù)已獲得全球半導(dǎo)體封裝大廠的認(rèn)同和采用,特別是針對(duì)超薄晶圓、LOW-k晶圓、鉆石披覆晶圓、二極管玻璃鈍化晶圓、微機(jī)電芯片、復(fù)合晶圓以及異形晶粒的劃片切割,都有不俗的表現(xiàn)。 3 微水刀激光科技 3.1 技術(shù)原理 幾千年來"水火不融"的觀念于1993年被瑞士杰出的科學(xué)家Dr.Bernold Richerzhagen打破。他巧妙地結(jié)合水刀技術(shù)和激光技術(shù)的優(yōu)點(diǎn),創(chuàng)造出微水刀激光(Laser Micro Jet)。更精確的說法是水導(dǎo)激光(Water Jet Guided Laser)。他將激光聚焦后導(dǎo)入比發(fā)絲還細(xì)的微水柱中,從而引導(dǎo)光束,并冷卻工件,消除了傳統(tǒng)激光熱影響區(qū)(Heat Affected Zone)過大的缺陷。大大提高了激光切割的質(zhì)量,因而非常適合半導(dǎo)體、醫(yī)療器材、電子、航天等高精密、高潔凈要求的加工。 從圖l可看出激光束(Laser Beam)由上方導(dǎo)入,經(jīng)過聚焦鏡及水腔(Water Chamber)的窗戶進(jìn)入,聚焦于噴嘴(Nozzle)的圓心. [align=center] 圖1 微水刀激光原理[/align] 低壓純凈水從水腔左邊進(jìn)入,經(jīng)鉆石噴嘴(Diamond Nozzle)上的微孔噴出。由于噴嘴考慮到流體力學(xué)的設(shè)計(jì),出來的水柱像光纖一樣既直又圓。水柱的直徑根據(jù)噴嘴孔徑而異,一般比人的頭發(fā)還細(xì),有100~30 μm多種規(guī)格。激光被導(dǎo)入水柱中心,利用微水柱與空氣界面全反射的原理,激光將沿著水柱行進(jìn)。在水柱維持穩(wěn)定不開花的范圍內(nèi)都能進(jìn)行加工。通常有效的工作距離為噴嘴孔徑的l 000倍。如噴嘴為100 μm,則其有效工作距離為1 00mm。這是傳統(tǒng)激光所望塵莫及的,因?yàn)閭鹘y(tǒng)激光只能在焦點(diǎn)處加工。激光光源可選配不同的波長(zhǎng),只要該波長(zhǎng)的能量不會(huì)被水吸收即可。精密加工常用的波長(zhǎng),1 064~355 nm。 另外,用于微加工的激光幾乎都是脈沖激光(Pulsed Laser),傳統(tǒng)激光不論是脈沖或連續(xù),總會(huì)有能量殘留在切割道上,該能量的累積和傳導(dǎo)是造成燒傷切割道旁熱損傷的主要原因。而微水刀激光因水柱的作用,將每個(gè)脈沖殘留的熱量迅速帶走,不會(huì)累積在工件上,因此切割道干凈利落。熱影響區(qū)的困擾得到大幅改善。因此,Laser MicroJet技術(shù)才適用于半導(dǎo)體等高精密的應(yīng)用。 3.2 特點(diǎn) 相對(duì)于傳統(tǒng)激光,微水刀激光有很多顯著的特點(diǎn)。如無熱影響區(qū)(Zero Heat Affected Zone),完全不燒傷工件,切割道干凈利落、無熔渣、無毛刺、無熱應(yīng)力、無機(jī)械應(yīng)力、無污染,極適合半導(dǎo)體、電子、醫(yī)療、航天等高精密器件切割加工。 微水刀激光適用于從金屬到其合金的多種材料,如不銹鋼、鈦、鉬、鎂、鎳、銅、Invar等,以及硅(Silicon)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)等半導(dǎo)體材料,乃至碳化硅(Sic)、CBN、鉆石、陶瓷、橡膠……軟硬通吃。甚至可同時(shí)切割橡膠及不銹鋼片而不燒傷橡膠層,這在傳統(tǒng)激光是完全不可能的事情。 該項(xiàng)技術(shù)可用于切割、鉆孔、挖槽、打印、表面熱處理等多項(xiàng)極細(xì)微及復(fù)雜的形狀加工。超薄硅片(Ultra Thin Silicon Wafer)切割速度比傳統(tǒng)鉆石刀快5~10倍,并且可以切任意形狀,功能超強(qiáng),在半導(dǎo)體芯片切割的應(yīng)用上,突破了多年來芯片劃片只能走直線的桎錮。從此設(shè)計(jì)者可以毫無限制地發(fā)揮其創(chuàng)意。 從圖2、圖3兩張不銹鋼切割的照片可清楚地看出熱影響區(qū)(HAZ)大小所造成的差異。傳統(tǒng)激光因熱影響區(qū)過大,無法進(jìn)行精微切割,大大限制了其應(yīng)用領(lǐng)域。 [align=center] 圖 2 不銹鋼片以傳統(tǒng)激光切割 熱耦傳嚴(yán)重 圖 3 不銹鋼片微水刀激光切割[/align] 微水刀激光(Laser Micro Jet)以其優(yōu)異的斷熱切割技術(shù),大幅開拓精密微加工的領(lǐng)域,催生了許多新產(chǎn)品、新工藝。 4 低介電系數(shù)材料和超薄晶圓的劃片問題 原來只用于高階產(chǎn)品的超薄晶圓(Ultra thin wafer)已經(jīng)越來越普及,而且越來越薄。處理超薄晶圓不僅是Silicon substrate本身厚度的問題,在加上許多硬脆易碎及延展性高的金屬Pad后,問題更加復(fù)雜。鉆石刀片既使小心翼翼地切過Silicon substrate,但金屬層的碎屑卻可能包粘在鉆石顆粒上,使切削能力大打折扣。此時(shí)若維持進(jìn)刀速度,必然造成破片斷刀的結(jié)果。各主要?jiǎng)澠瑱C(jī)廠,如Disco、TSK.等均轉(zhuǎn)向激光,由此可見機(jī)械方式已經(jīng)到了克服不了的困境。不幸的是激光也有激光的問題。在此,就鉆石刀片,傳統(tǒng)激光及微水刀激光的特性探討如下: 4.1 鉆石刀片 易造成wafer表面崩邊或龜裂。遇金屬層易斷刀破片,切割速度慢,破片率高。但在切割Silicon substrate時(shí)斷面平整,深度控制容易。在使用DAF(Die Attach Film)時(shí)可正好切穿DAF而不傷Blue Tape。 4.2 傳統(tǒng)激光 傳統(tǒng)激光(Conventional Laser)或稱干式激光(Dry Laser),因?yàn)闊嵊绊憛^(qū)的問題未克服,僅能用在低階芯片,如太陽能芯片等。采用3倍頻方式雖然有改善,但也只能劃劃線。如果切穿同樣燒傷芯片和DAF及Blue Tape。 4.3 微水刀激光 可以輕易去除切割道表層材料及Silicon substrate。切割超薄片(50 μm)時(shí)速度比diamond saw快數(shù)倍。缺點(diǎn)為與干式激光同樣會(huì)燒壞DAF,切割斷面不如機(jī)械磨削光滑。 從上述看來各有所長(zhǎng),也各有缺陷。 4.4 解決方案 既然沒有十全十美的方法,只好退而求其次。對(duì)Diamond Saw而言,難解決的是Wafer的表層材料。對(duì)微水刀激光而言,頭痛的是會(huì)燒壞DAF。因此如各取所長(zhǎng),分成2個(gè)步驟處理,就差強(qiáng)人意。 首先用微水刀激光劃淺淺的一刀,加工手段上稱之為開槽(Grooving),以清除切割道上所有的材料,不管是金屬或易碎材料。微水刀激光可以選用與切割道(Cutting Street)同寬的噴嘴,像推土機(jī)一樣一次推掉表層上各種找麻煩的材料,露出Silicon Substrate。再接著用Diamond Saw切穿silicon substrate和DAF,并剛好停在 Blue Tape表面上。 因?yàn)镚rooving 只能去除表層幾十微米的深度,微水刀激光可以250 mm/s的高速進(jìn)行。就生產(chǎn)線的平衡來看,一臺(tái)微水刀激光系統(tǒng)需至少5臺(tái)以上Diamond Saw與之配合才消化得掉。 從設(shè)備投資的角度來看,這似乎是最有效益的方式。不僅不會(huì)因?yàn)橐M(jìn)新設(shè)備而閑置舊機(jī)器,反而會(huì)提高產(chǎn)能,真正相輔相成,相得益彰。 微水刀激光尚可從事異型晶粒切割,打通孔或盲孔等鉆石刀具作不了的事情,見圖4、圖5。 [align=center] 圖 4 Silicon wafer 激光打孔 圖 5 較大顯微鏡照片孔徑100微米 [/align] 5 瑞士喜諾發(fā)公司之半導(dǎo)體晶圓劃片系列 全系列均配備高精度線性滑軌及CNC控制,TFT LCD觸控螢?zāi)患跋冗M(jìn)人機(jī)界面軟件,CCD Camera,自動(dòng)視覺瞄準(zhǔn),遠(yuǎn)端通訊診斷。可切任何形狀品粒,如六角形,圓形和不規(guī)則形。 5.1 設(shè)備介紹 (1)LDS 200A/LDS:300A。LDS 200A/LDS:300A一全自動(dòng)200 mm/300 mm硅片水刀激光切割系統(tǒng),Cassette to Cassette,自動(dòng)視覺系統(tǒng)對(duì)位,切割,清潔,進(jìn)退料一氣呵成。適合連續(xù)人量生產(chǎn)。住超薄硅片切割之表現(xiàn)比傳統(tǒng)鉆石刀切割方式快數(shù)倍。
(2)LDS 200C。LDS 200C一自動(dòng)200 mm硅片水刀激光切割系統(tǒng),人工或視覺系統(tǒng)自動(dòng)瞄準(zhǔn),切割,切割完了自動(dòng)以超純水清洗,手動(dòng)進(jìn)退料,適合量產(chǎn)。 (3)LDS 200M。LDS 200M一手動(dòng)200 mm硅片水刀激光切割系統(tǒng),手動(dòng)進(jìn)退料,人工或視覺系統(tǒng)自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)。切割,適合研究發(fā)展或少量多樣生產(chǎn)形態(tài)用途。 (4)LGS 200。LGS 200為200 mm Cassette to Cassette水刀激光全自動(dòng)硅片削邊系統(tǒng),特別適用于超薄硅片外圓之削邊,大幅降低超薄片(Ultra thin wafer)之破片率,并可作鉆孔(Hole drilling),開槽(Slotting),異型晶粒切割(Free shape chip dicing)等用途。 5.2 即將問世的混合機(jī)種 Synova (喜諾發(fā))公司亦宣布和Diamond Saw頗富盛名的DISCO公司的子公司共同開發(fā)出結(jié)合鉆石刀具和微水刀激光的混合機(jī)種。此混合機(jī)種將在晶圓劃片技術(shù)上樹力新的里程碑。該系統(tǒng)結(jié)合了2種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn),并考慮到半導(dǎo)體晶圓新材料所延生的問題以及未來趨勢(shì),預(yù)期將可解決目前半導(dǎo)界在劃片上的種種困擾,且讓我們拭目以待。 6 結(jié)論 盡管己越來越多人注意到微水刀激光技術(shù),無可諱言,絕大多數(shù)人還是對(duì)此很陌生。雖然在國(guó)內(nèi)外已開發(fā)了許多應(yīng)用,事實(shí)上有更大的應(yīng)用市場(chǎng)尚待發(fā)掘,如果能對(duì)各行業(yè)現(xiàn)有的生產(chǎn)工藝加以重新檢討和思考,有沒有那項(xiàng)工藝覺得不滿意?有沒有那些難解的企業(yè)疑難?有沒有切不了,切不好的材料?有沒有以為激光可以做的了,試過后卻很失望的?我們覺得這些問題都包藏著商機(jī),有問題的存在,解決方案才能彰顯其價(jià)值。

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