衡量絕緣子污穢程度有等值鹽密、污層電導(dǎo)率、表面電導(dǎo)率、泄漏電流、污閃電壓與污閃梯度等方法。本文選擇了測(cè)量絕緣子等值鹽密來衡量絕緣子污穢程度，其原因如下。

　　a．污層電導(dǎo)率定義為絕緣單位表面污層的電導(dǎo)值，實(shí)際上是由加在污層上的電流與電壓之比求出的電導(dǎo)與絕緣子的形狀系數(shù)相乘求得。為測(cè)量污層表面電導(dǎo)，應(yīng)在污層飽和受潮條件下，在絕緣子上加適當(dāng)高的工頻電壓，測(cè)其泄漏電流，從而求得電導(dǎo)G=I／U，但上述測(cè)量分散性較大，受污穢分布不均勻的影響也較大。另外，測(cè)量時(shí)要用容量較大的電源，測(cè)量比較麻煩。

　　b．從物理意義上講，污層的局部表面電導(dǎo)率和表面電導(dǎo)率是同一參數(shù)，其物理意義相同，差別僅在于測(cè)量方法。測(cè)量方法雖然與等值鹽密相同，但電導(dǎo)率受溫度變化影響較大。

　　c．泄漏電流試驗(yàn)作為表示污穢度的參數(shù)較多：運(yùn)行電壓下泄漏電流的最大脈沖幅值；超過一定幅值的泄漏電流脈沖數(shù)；臨閃前最大泄漏電流值。測(cè)量這些參數(shù)需要對(duì)絕緣子施加一定電壓，現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)不方便。

　　d．污閃電壓及污閃梯度是表征絕緣子性能的最直接最理想的污穢參數(shù)，現(xiàn)場(chǎng)污穢試驗(yàn)還能真實(shí)地測(cè)得絕緣子污閃性能，但由于自然污穢和積污水平達(dá)到臨界狀態(tài)與引起污閃的氣象條件的產(chǎn)生不一定同時(shí)存在，往往是污穢已經(jīng)達(dá)到臨界水平但沒有出現(xiàn)充分的潮濕條件而測(cè)量不到臨界污閃電壓，因而進(jìn)行閃絡(luò)電壓的測(cè)量還應(yīng)結(jié)合其他污穢度參數(shù)的測(cè)量。試驗(yàn)設(shè)備容量大，試驗(yàn)不方便，現(xiàn)場(chǎng)不具備條件。

　　e．絕緣子等值鹽密(外絕緣的單位表面積上的等值鹽量)測(cè)量方法是用一定量的蒸餾水，將一定面積瓷表面上的污穢物全部清洗掉，用等值鹽密度測(cè)試儀測(cè)量污穢溶液的鹽密值ESDD。YM3200直讀式鹽密儀可以直接測(cè)量讀取ESDD值。等值鹽密可直觀衡量污穢程度，不受溫度、電壓、試驗(yàn)設(shè)備容量和試驗(yàn)場(chǎng)地的限制。

　　就現(xiàn)有技術(shù)、設(shè)備和操作的可行性等來看，現(xiàn)場(chǎng)一般采取測(cè)量絕緣子等值鹽密衡量絕緣子污穢程度。等值鹽密是對(duì)絕緣子污閃的客觀反映，是判斷絕緣性能的判據(jù)之一，可直觀衡量污穢程度，不受溫度、電壓、試驗(yàn)設(shè)備容量和試驗(yàn)場(chǎng)地的限制，而且便于現(xiàn)場(chǎng)操作。