摘要:針對(duì)6kv/loookw高壓變頻器中集成門極換流晶閘管（IntegnatedGateCommutationThyristor，簡(jiǎn)稱IGCT）的串聯(lián)緩沖電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)。在分析串聯(lián)緩沖電路的同時(shí)，計(jì)算了吸收電容和吸收電阻的取值范圍。而后，對(duì)緩沖電路進(jìn)行了PSIM仿真和試驗(yàn)，通過(guò)仿真和試驗(yàn)波形的比較，驗(yàn)證了緩沖電路的工作效果。結(jié)果表明，吸收電容和吸收電阻的取值合適，能夠?qū)GCT起到很好的保護(hù)。 關(guān)鍵詞:變頻器;仿真/集成門極換流晶閘管;緩沖電路 1 引言 集成門極換流晶閘管（IGCT）是一種在GTO基礎(chǔ)上改進(jìn)而成的新型半導(dǎo)體器件，主要用于巨型電力電子成套裝置，它具有電流大，電壓高，開關(guān)頻率高，可靠性高，結(jié)構(gòu)緊湊，損耗低等優(yōu)點(diǎn)，而且制造成本低，成品率高。因此，目前正在逐漸取代GTO和IGBT，成為高壓大功率變頻器的優(yōu)選器件。目前，我國(guó)的高壓、大功率電動(dòng)機(jī)以6kV等級(jí)為主，而投入市場(chǎng)的單只IGCT最高的耐壓水平僅為4.skv，在采用三電平結(jié)構(gòu)后，依舊不能滿足輸出電壓6kV的要求。因此，在三電平結(jié)構(gòu)的6kv高壓變頻器中，需采用兩只IGCT串聯(lián)，以獲得更高的耐壓等級(jí)。然而，在器件串聯(lián)使用時(shí)，由于其特性的差異會(huì)產(chǎn)生暫態(tài)電壓分配不均衡，導(dǎo)致個(gè)別器件上產(chǎn)生過(guò)電壓而威脅器件的安全。鑒于IGCT器件性能完好與否關(guān)乎變頻器設(shè)備的安全運(yùn)行，因此為ICCT器件設(shè)計(jì)串聯(lián)緩沖吸收電路顯得非常重要。在此，對(duì)6kW1000kW高壓變頻器的IGCT串聯(lián)緩沖電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)、PSIM仿真和實(shí)驗(yàn)研究。 [b]2 IGCT串聯(lián)緩沖電路的分析 2.1 di/dt限制電路的分析與參數(shù)值的選取[/b] [b][align=center]詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)點(diǎn)擊： 高壓IGCT緩沖電路的仿真與實(shí)驗(yàn)研究[/align][/b]