引言

LT8609、LT8609A、LT8609B和LT8609S是具有3V至42V寬輸入電壓范圍的同步、單片式、降壓型穩(wěn)壓器。該器件系列專為那些需要低EMI、高效率和小尺寸解決方案的應(yīng)用而優(yōu)化，適合于要求嚴苛的汽車、工業(yè)、計算和通信應(yīng)用。該系列中的所有穩(wěn)壓器均擁有相同的2A連續(xù)、3A瞬態(tài)(<1秒)負載電流能力。它們的特性匯總于表1。

LT8609、LT8609A和LT8609S具有2.5μA的超低靜態(tài)電流，這一點對于電池供電型系統(tǒng)至關(guān)重要。這些穩(wěn)壓器憑借集成的頂端和底端N溝道MOSFET實現(xiàn)了出色的輕負載效率。LT8609B僅工作于脈沖跳躍模式，雖然靜態(tài)電流高于其他幾款器件，但是它在輕負載運行期間產(chǎn)生的輸出紋波較低。

該系列的所有器件均達到CISPR255類輻射EMI規(guī)則要求，這是針對汽車設(shè)備的最嚴格EMI標準。此外，LT8609、LT8609A和LT8609S還擁有擴展頻譜頻率運行功能，以降低EMI峰值。在此產(chǎn)品系列中，LT8609S具備最引人注目的EMI性能，如下文所述，這基于其專有的SilentSwitcher?2技術(shù)。

圖1.超低EMI輻射LT8609S12V至5V同步降壓型轉(zhuǎn)換器

5.5V至42V輸入、低EMI、高效率5V、2A電源

圖1示出了一款5.5V至42V輸入，5V/2A輸出電源的解決方案。該解決方案采用了一個16引腳LT8609S穩(wěn)壓器，

該穩(wěn)壓器具有2MHz開關(guān)頻率。構(gòu)成這款完整的解決方案僅需少量的組件，包括電感器L1和幾個無源組件。如圖2所示，此解決方案能實現(xiàn)92.9%的峰值效率。

突發(fā)模式以改善輕負載效率

對于電池供電型應(yīng)用來說，在輕負載運行和無負載待用模式期間，高效率和低閑置電流是很重要的特性。LT8609、LT8609A和LT8609S在突發(fā)模式(BurstMode?)工作中具有2.5μA的低靜態(tài)電流。在輕負載和無負載情況下，逐漸地降低開關(guān)頻率，從而在保持輸出電壓紋波相對較低的同時極大地減少功耗。圖2顯示：輕負載效率保持在85%以上，而功耗在極小負載情況下接近于零。

圖2.基于LT8609/LT8609A/LT8609S的12VIN至5VOUT降壓型轉(zhuǎn)換器的效率與負載電流關(guān)系曲線

高開關(guān)頻率以及超低EMI輻射和改善的熱性能

在汽車系統(tǒng)等諸多環(huán)境中，EMI兼容性是一個引人關(guān)注的問題。憑借集成化MOSFET、先進的工藝技術(shù)、和高達2.2MHz工作頻率，該系列的所有器件均可實現(xiàn)小尺寸的解決方案，并滿足最嚴苛的EMI標準。除了LT8609B之外，其他幾款器件都提供了可降低EMI峰值的擴展頻譜頻率運行功能。此外，LT8609S采用了SilentSwitcher2技術(shù)。SilentSwitcher2器件具有集成型熱環(huán)路和暖環(huán)路電容器，以使EMI性能不容易受到電路板布局和電路板層數(shù)的影響。可采用層數(shù)較少的電路板以降低制造成本，并且不犧牲EMI和熱性能。

如圖2所示，LT8609S在該器件系列中擁有最佳峰值和滿負載效率。圖3和圖4顯示了圖1所示解決方案采用2層和4層電路板時的CISPR25EMI性能對比和熱性能對比。

圖3.圖1所示電路采用2層和4層電路板時的CISPR25輻射EMI性能比較

圖4.圖1所示電路采用2層和4層電路板時的熱性能比較

結(jié)論

LT8609系列中的器件是簡單易用的單片式降壓型穩(wěn)壓器，具有集成功率MOSFET和內(nèi)置補償電路。這些器件專門針對那些需要寬輸入電壓范圍和低EMI噪聲的應(yīng)用而優(yōu)化。2.5μA的低靜態(tài)電流和突發(fā)模式工作功能使得它們成為卓越的電池供電降壓型轉(zhuǎn)換器解決方案。200kHz至2.2MHz的開關(guān)頻率范圍使其適合大多數(shù)低功耗及微功耗應(yīng)用。集成的MOSFET和高達2.2MHz的開關(guān)頻率能力最大限度減小了解決方案尺寸。CISPR25掃描結(jié)果顯示了該解決方案符合最嚴格的EMI標準。LT8609S所采用的SilentSwitcher2技術(shù)使其性能不會受到電路板布局和層數(shù)變化的影響，從而極大地降低了開發(fā)和制造成本。