本文在簡介EMI濾波器正朝小型化、片式化方向發(fā)展的基礎(chǔ)上，重點論述了新材料、新技術(shù)在EMI濾波器上的應(yīng)用及小型化片式磁性元器件。

電子設(shè)備的小型輕量化的發(fā)展促使EMI濾波器也不斷朝小型化、片式化方向發(fā)展，多層片式EMI器件就是近年來隨著高密度表面組裝技術(shù)（SMT）的發(fā)展而發(fā)展起來的一種新型表面貼裝元件（SMD），由于其小型化的潛力很大，成為近年來研究和開發(fā)的熱點。這些EMI元器件包括片式磁珠型EMI/RFI抑制器、片式電感器、片式組合式（LC型等）濾波器、片式扼流圈等。在尺寸上，美國已制定出相關(guān)的標準，如1008(1.0mm×0.8mm)，0805，0603，2012等型號。由于這類EMI器件對采用的鐵氧體材料有特殊的要求，不僅要求其燒結(jié)溫度低、電阻率高、而且要不與內(nèi)導體發(fā)生反應(yīng)，因此，近年來投入大量的精力和財力研究降低該系列材料的燒結(jié)溫度以及改進其電磁性能，取得了不少有價值的成果。

隨著片式EMI器件尺寸的進一步縮小，如何在小尺寸濾波器上獲得大的電感量或阻抗值將是今后需重點研究的內(nèi)容。另外，為適應(yīng)IC電路小型化精密PCB電路抑制EMI的需求，對薄膜型組合式濾波器的研究也逐漸增多。美國泰克公司、日本東北大學先后開發(fā)出薄膜π型和薄膜LCEMI濾波器，使用頻段在1～1000MHz之間，最大插入損耗達到25dB。由于這種EMI器件完全采用薄膜工藝來完成，有望實現(xiàn)更高的集成度。

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