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SDH8594AS低成本開(kāi)關(guān)電源控制芯片方案

時(shí)間:2019-06-25 18:03:11來(lái)源:今日頭條作者:驪微電源芯片

導(dǎo)語(yǔ):?SDH8594AS內(nèi)置高壓MOS管高精度原邊操控開(kāi)關(guān)電源芯片是離線式開(kāi)關(guān)電源集成電路,是外置線損補(bǔ)償和內(nèi)置峰值電流補(bǔ)償?shù)母叨碎_(kāi)關(guān)電源操控器。經(jīng)過(guò)檢測(cè)變壓器原級(jí)線圈的峰值電流和輔佐線圈的反應(yīng)電壓,操控體系的輸出電壓和電流,到達(dá)輸出恒壓或許恒流的目的,驪微電子的SDH8594AS集成多種維護(hù),有效削減額定的器材數(shù)量和尺寸。

SDH8594AS內(nèi)置高壓MOS管高精度原邊操控開(kāi)關(guān)電源芯片是離線式開(kāi)關(guān)電源集成電路,是外置線損補(bǔ)償和內(nèi)置峰值電流補(bǔ)償?shù)母叨碎_(kāi)關(guān)電源操控器。經(jīng)過(guò)檢測(cè)變壓器原級(jí)線圈的峰值電流和輔佐線圈的反應(yīng)電壓,操控體系的輸出電壓和電流,到達(dá)輸出恒壓或許恒流的目的,驪微電子的SDH8594AS集成多種維護(hù),有效削減額定的器材數(shù)量和尺寸。

1.電路發(fā)動(dòng)和欠壓鎖定:體系上電,電路由內(nèi)置耗盡型MOS管對(duì)vCC管腳外置的電容充電。當(dāng)VCC上升到18V,電路開(kāi)端作業(yè),關(guān)斷耗盡型MOs:在電路正常作業(yè)進(jìn)程中,由輔佐線圈供電來(lái)保持VCC電壓;當(dāng)VCC下降到85V進(jìn)入欠壓鎖定狀況,耗盡型MOS管翻開(kāi),對(duì)VCC電容供電,VCC上升到18V,電路發(fā)動(dòng)重新作業(yè)。

2、峰值電流檢測(cè)和LEB:當(dāng)驅(qū)動(dòng)為高電平,MOS管導(dǎo)通,經(jīng)過(guò)采樣電阻檢測(cè)呈線性增大的原級(jí)線圈的電流,當(dāng)?shù)竭_(dá)設(shè)定的電流約束值即峰值電流,MOS管關(guān)斷。

3、CV操控方式:當(dāng)MOS管關(guān)斷,反應(yīng)電壓為正,在FB為正的2/3~1/2時(shí)刻點(diǎn)進(jìn)行采樣,采樣得到的電壓經(jīng)過(guò)與恒壓閾值Vc的比較、放大,發(fā)生恒壓環(huán)路的關(guān)斷時(shí)刻ToF,然后完成輸出的恒壓。在輕載或許中載的時(shí)分,恒壓環(huán)路發(fā)生不同的峰值電流。

4.CC操控方式:經(jīng)過(guò)電路對(duì)FB為正、為負(fù)或準(zhǔn)諧振的時(shí)刻進(jìn)行計(jì)算,FB為正的時(shí)刻為T(mén)oF1表明變壓器的次級(jí)線圈有電流,FB為負(fù)的時(shí)刻為T(mén)N,FB衰減振蕩的時(shí)刻為T(mén)oFF2,在這兩個(gè)時(shí)刻內(nèi)變壓器的次級(jí)線圈沒(méi)有電流。

5.峰值電流補(bǔ)償:由關(guān)斷延遲時(shí)刻導(dǎo)致實(shí)踐檢測(cè)到的峰值電流值,隨著輸λ溝通電壓的増大而増大,而峰值電流值直接反映輸岀電流因此形成輸出電流隨輸入溝通電壓的線性調(diào)整率會(huì)比較差。sDH8594AS利用導(dǎo)通時(shí)刻來(lái)操控峰值電流,使不同輸入電壓下的峰值電流根本保持不變,改進(jìn)輸出電流的調(diào)整率。

6.線損補(bǔ)償:在實(shí)踐的應(yīng)用設(shè)計(jì)中,輸岀電壓在電纜線上會(huì)有不同程度的壓降ⅤAB。在不同的電流情況下,輸岀端的整流二極管壓降VD也會(huì)發(fā)生改動(dòng),需求綜合考慮,SDH8594AS經(jīng)過(guò)內(nèi)部一個(gè)電流源來(lái)發(fā)生帶有失調(diào)的反應(yīng)電壓VFB。內(nèi)部電流源的巨細(xì)與輸出電流巨細(xì)成比例關(guān)系。當(dāng)負(fù)載電流從滿(mǎn)載到空載的時(shí)分,ⅤFB的失調(diào)電壓増加,增加量可以經(jīng)過(guò)反應(yīng)電阻R1和R2調(diào)節(jié)。

7.各種維護(hù)措施:芯片內(nèi)部集成多個(gè)維護(hù)功用,包含過(guò)溫維護(hù)、FB過(guò)壓維護(hù)、VcC過(guò)壓維護(hù)、輸岀短路維護(hù)、限流維護(hù)、最大導(dǎo)通時(shí)刻維護(hù)等功用,全部都是芯片自動(dòng)恢復(fù)(除了限流維護(hù)),即檢測(cè)到異常狀況后,芯片關(guān)斷輸出,VCC電壓開(kāi)端下降到欠壓點(diǎn),關(guān)斷內(nèi)部全部模塊,經(jīng)過(guò)耗盡型MOS對(duì)∨CC端電容進(jìn)行充電,重復(fù)一個(gè)芯片發(fā)動(dòng)的進(jìn)程。

8.PFM調(diào)制頻率的設(shè)定:驪微電子的SDH8594AS在PFM調(diào)制頻率規(guī)模由導(dǎo)通時(shí)刻TN和恒壓環(huán)路操控關(guān)斷時(shí)刻T。F所決議。因此當(dāng)關(guān)斷時(shí)刻最長(zhǎng)T。FFma時(shí),體系處于最小約束頻率狀況,作業(yè)頻率最低;當(dāng)關(guān)斷時(shí)刻最短ToFFmink時(shí),體系處于最高頻作業(yè)狀況,作業(yè)頻率到達(dá)最高。


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