摘 要：MOSFET的輸出電容COSS具有非線性。在射頻震蕩器中，電容的這一非線性會(huì)影響振蕩器的諧波分量。本文選取不同直流電源電壓和輸出電壓, 對(duì)在不同工作狀態(tài)下振蕩器的輸出諧波分量進(jìn)行了Matlab數(shù)值分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了數(shù)值分析的結(jié)論。 關(guān)鍵詞：輸出電容;非線性;諧波分量 一 引言 　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）制造技術(shù)的發(fā)展為大功率射頻放大器和振蕩器的設(shè)計(jì)制造奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。目前，在C類工作狀態(tài)下，采用單個(gè)功率MOSFET可以設(shè)計(jì)出功率大于100W、頻率高于10MHZ的射頻放大器和振蕩器。但隨設(shè)計(jì)頻率的升高，MOSFET存在的寄生電阻、寄生電容、寄生電感等引起的寄生效應(yīng)會(huì)嚴(yán)重影響所達(dá)到的性能指標(biāo)。非線性寄生參數(shù)對(duì)振蕩器指標(biāo)的影響就更加復(fù)雜。例如，MOSFET漏源間寄生電容（輸出電容）COSS的非線性會(huì)影響振蕩器的輸出諧波分量。在不同的工作狀態(tài)下，輸出諧波分量也會(huì)有所變化。本文選取不同直流電源電壓Vdc和輸出電壓V0,對(duì)在不同工作狀態(tài)下振蕩器的輸出諧波分量進(jìn)行了Matlab數(shù)值分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了數(shù)值分析的結(jié)論。 　　詳情請(qǐng)點(diǎn)擊下載：MOSFET輸出電容的非線性對(duì)振蕩諧波的影響