由于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈極其復(fù)雜，因而對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈有很多認(rèn)知誤區(qū)，本文集中回答了最常見國產(chǎn)芯片五大誤區(qū)：

　　一、有了光刻機就能造芯片?

　　其實光刻只是半導(dǎo)體前道7大工藝環(huán)節(jié)(光刻、刻蝕、沉積、離子注入、清洗、氧化、檢測)中的一個環(huán)節(jié)，雖然是最重要的環(huán)節(jié)之一，但是離開了其他6個環(huán)節(jié)中的任何一個都不行。

　　集成電路的制造工藝分為“三大”+“四小”工藝：

　　三大(75%)：光刻、刻蝕、沉積;

　　四小(25%)：清洗、氧化、檢測、離子注入。

　　一般情況下光刻占整條產(chǎn)線設(shè)備投資的30%，與刻蝕機(25%)、PVD/CVD/ALD(25%)并列成為最重要的三大前道設(shè)備之一，所以并不是有了光刻機就能造芯片，光刻只是芯片制造工藝流程的中的一個，還需要其他6大前道工藝設(shè)備的支撐，其重要程度與光刻機同等重要。

　　二、中國最緊迫的是造出光刻機?

　　其實目前中國并不缺光刻機，缺的是其他6大類被美國廠商把持的工藝設(shè)備(沉積、刻蝕、離子注入、清洗、氧化、檢測)。

　　光刻機大致分為兩類：

　　1、DUV深紫外線光刻機：可以制備0.13um到7nm芯片;

　　2、EUV極紫外線光刻機：適合7nm到3nm以下芯片。

　　目前情況下DUV光刻機并不限制中國，還在正常供應(yīng)，因為供應(yīng)商重要來自于歐洲荷蘭的ASML以及日本Nikon、佳能，并不直接受美國禁令，但EUV目前并未買到。

　　在前序報告里提到，我們認(rèn)為中國半導(dǎo)體未來將從全部外循環(huán)，轉(zhuǎn)向外循環(huán)+內(nèi)循環(huán)的雙循環(huán)架構(gòu)，基于半導(dǎo)體是全球化深度分工的現(xiàn)實，外循環(huán)也就是團(tuán)結(jié)非美系設(shè)備商依舊是重點和現(xiàn)實的選擇。目前前道設(shè)備格局是：

　　1、光刻機：由歐洲ASML和日本Nikon和Canon壟斷;

　　2、刻蝕、沉積、離子注入、清洗、氧化、檢測設(shè)備：由美國和日本壟斷，其中檢測設(shè)備由美系的KLA深度壟斷。

　　所以現(xiàn)在中國半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)大背景下的內(nèi)外雙循環(huán)的當(dāng)務(wù)之急是依靠國產(chǎn)和聯(lián)合歐洲、日本去替代美國把持的非光刻設(shè)備，所以，與絕大多數(shù)人理解的不同，中國半導(dǎo)體制造并不缺光刻機。

　　三、“自研”就能解決芯片缺口?

　　其實目前大多數(shù)“自研”不僅不能解決目前的芯片缺口，反倒會加劇芯片短缺。

　　因為所謂的各大互聯(lián)網(wǎng)公司/車廠/手機廠商的“自研”芯片，其實只是芯片的設(shè)計環(huán)節(jié)，是芯片制造工藝的一個步驟，與我們所缺的芯片成品差了最為關(guān)鍵的芯片制造?，F(xiàn)在全球缺芯，缺的不是芯片設(shè)計，而是最為核心重要的芯片制造。

　　現(xiàn)在全民自研芯片，會加大晶圓廠的流片訂單，會持續(xù)加大芯片代工產(chǎn)能供需缺口。所以未來解決芯片缺口只能靠Fab制造廠(中芯、華虹)、IDM廠(華潤微、長存、長鑫)，而不是靠“自研”(芯片設(shè)計)。

　　相對來說，芯片設(shè)計門檻相對較低，啟動快，見效快，商業(yè)模式與軟件開發(fā)類似，中國在諸多芯片設(shè)計fabless領(lǐng)域都已經(jīng)全球領(lǐng)先，以華為海思為例，在被限制芯片代工之前，海思的各類芯片設(shè)計實力已經(jīng)是全球前二。

　　所以現(xiàn)在更需要支持的是芯片制造領(lǐng)域，而不是芯片設(shè)計(自研)，如果沒有穩(wěn)固的fab代工廠的支撐，fabless也不過是空中樓閣海市蜃樓。

　　四、目前中國只缺高端芯片?

　　當(dāng)下其實中國缺的更多的反倒是成熟工藝，8寸比12寸緊缺，12寸的90/55nm比7/5nm緊缺。

　　成熟/先進(jìn)工藝都很重要，缺一不可，一臺手機里面除了AP和DRAM外，其他絕大多數(shù)芯片都是成熟工藝。電車需要的芯片，特別是功率半導(dǎo)體芯片/MCU芯片都是成熟12寸或是8寸。

　　對于中國來說，不僅在先進(jìn)工藝7/5/3nm與臺積電差距巨大，更大的差距體現(xiàn)在成熟工藝的產(chǎn)能。以等效8英寸產(chǎn)能計算，中芯國際的產(chǎn)能也就只有臺積電的10%～15%，差距依舊巨大，根本無法滿足國內(nèi)的需求。

　　特別是國內(nèi)的芯片設(shè)計上市公司，絕大多數(shù)都在成熟工藝節(jié)點，但是根本沒有本土配套的成熟代工產(chǎn)能與其配套;

　　韋爾股份的CIS/PMIC/Driver、兆易創(chuàng)新的NOR和MCU、匯頂科技的指紋識別、圣邦股份的模擬IC、卓勝微的射頻等芯片都在12寸的成熟工藝(90～45nm)，而不是所謂的14/10/7/5nm先進(jìn)工藝。更為重要的是，當(dāng)下需求量最大的電車和光伏逆變器/MCU/功率芯片都是在8寸成熟產(chǎn)能上完成，這也是目前最缺的板塊，稀缺程度超過所謂的“先進(jìn)”芯片。

　　所以，現(xiàn)在的當(dāng)務(wù)之急反倒不是7/5/3nm，而是先做好成熟工藝。

　　五、中國要獨立建成自己的半導(dǎo)體工業(yè)體系?

　　其實半導(dǎo)體是一個深度全球化的行業(yè)，沒有任何一個國家能夠?qū)崿F(xiàn)完全“國產(chǎn)化”。

　　目前的半導(dǎo)體全球布局是：

　　半導(dǎo)體設(shè)備：美國為主、歐洲日本為輔;

　　半導(dǎo)體材料：日本為主，美國歐洲為輔;

　　芯片代工：中國臺灣省為主，韓國為輔;

　　存儲芯片：韓國為主、美國日本為輔;

　　芯片設(shè)計：美國為主，中國大陸為輔;

　　芯片封測：中國臺灣省為主，中國大陸為輔;

　　EDA/IP：美國為主，歐洲為輔。

　　所以，我們可以看到全球沒有哪一個國家能夠覆蓋半導(dǎo)體的全產(chǎn)業(yè)鏈，所以全球化合作依舊是行業(yè)主流。

　　但是，由于中美的科技摩擦，對于中國來說，必須要進(jìn)行雙循環(huán)。也就是從之前的外循環(huán)為主、內(nèi)循環(huán)為輔，改變成現(xiàn)在的外循環(huán)為輔、內(nèi)循環(huán)為主。

　　所以，面對美國對中國的條件約束，當(dāng)務(wù)之急就是針對美國的強勢領(lǐng)域進(jìn)行替代，并盡最大努力對美國之外的(歐洲、日本等)繼續(xù)進(jìn)行外循環(huán)。

　　目前美國把持的核心技術(shù)集中體現(xiàn)在除光刻機之外的半導(dǎo)體設(shè)備(PVD、檢測、CVD、刻蝕機、清洗機、離子注入、氧化、外延、退火)，另外就是EDA開發(fā)軟件。

　　風(fēng)險提示：中美貿(mào)易摩擦加劇、地緣政治加劇的風(fēng)險;國產(chǎn)替代不及預(yù)期的風(fēng)險;半導(dǎo)體下游需求不及預(yù)期的風(fēng)險。