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解讀硬核元器件看變頻器最新發(fā)展趨勢

時間:2022-08-12 15:56:19來源:北京利德華福電氣技術(shù)有限公司

導(dǎo)語:?本文通過介紹元器件的發(fā)展趨勢," 硬核 " 解讀目前變頻器行業(yè)的趨勢變化,看深耕高壓變頻行業(yè)二十四載的利德華福是如何傳承經(jīng)典的研發(fā)基因、甄選合適元器件,用技術(shù)革新締造出順應(yīng)趨勢的第七代高壓變頻產(chǎn)品。御電新生,未來可“七”!

  變頻器核心部件:母線電容

  利德華福HARSVERT系列變頻器是一款電壓源型單元級聯(lián)型變頻器,設(shè)備的核心部件是作為直流儲能環(huán)節(jié)的電容器,擔(dān)負(fù)著解耦、濾波、提供無功功率等重要的功能。如果電容出現(xiàn)容值大幅下降、紋波電阻增大等故障, 就會導(dǎo)致電機(jī)電流大幅波動、轉(zhuǎn)速不穩(wěn)、電容發(fā)熱嚴(yán)重, 因此利德華福在電容器的選擇上頗費了一番“苦心”。

  目前,直流母線最常見的電容為鋁電解電容。而其最容易發(fā)生的容值下降、電容發(fā)熱等故障,大部分是因電容老化而造成的,為了避免電容失效而導(dǎo)致設(shè)備故障,通常需要在使用后的7 -10 年左右對直流母線電容進(jìn)行檢測和更換。

  

電容器.png

  圖 1 電容器

  (1)鋁電解電容

  作為最常見的電容,鋁電解電容以金屬鋁箔作為陽極箔,表面經(jīng)過化成形成的氧化鋁薄膜作為電介質(zhì),起絕緣作用,電解液作為實際陰極,同時起修補(bǔ)氧化膜作用,陰極箔起陰極引出作用。電解電容通過對電極實施蝕刻處理使其表面粗糙來擴(kuò)大電極表面積,從而增大容量。

  由于絕緣介質(zhì)是鋁箔表面的氧化鋁薄膜,難以控制氧化層厚度及均勻性、達(dá)到高耐壓,在不同的階段,可能會導(dǎo)致以下幾種情況出現(xiàn):

  ?電解電容工作的早期

  鋁電解電容由于在負(fù)荷工作過程中,電解液不斷修補(bǔ)并增厚陽極氧化膜(補(bǔ)形效應(yīng)),會導(dǎo)致電容容量的下降;

  ?電解電容工作的后期

  由于電容溫度較高、密封性能變差導(dǎo)致的電解液泄露等原因,電解液的損耗較多,溶液變粘稠,電阻率增大。這也將導(dǎo)致電解質(zhì)的等效串聯(lián)電阻增大,損耗增加,最終使得發(fā)熱量增大,溫升升高,進(jìn)入一個惡性循環(huán)。

  此時,電解液因粘稠而難以充分接觸鋁箔表面凹凸不平的氧化膜層,使得電容的有效極板面積減小,導(dǎo)致電容容量下降。因此,鋁電解電容的結(jié)構(gòu)決定了其使用壽命的限制。比起鋁電解電容,是否有更好的選擇呢?

  (2)金屬薄膜電容

  若要降低變頻器生命周期內(nèi)的運維成本,使電容器在整個生命周期內(nèi)都無需更換,無疑是更優(yōu)解,因此金屬薄膜電容進(jìn)入了考慮范圍。

  金屬薄膜電容發(fā)展僅10年左右,早期因產(chǎn)量小,制造成本高?,F(xiàn)在隨著產(chǎn)量的增大,制造成本顯著降低,使得其大規(guī)模的應(yīng)用成為了可能。因為金屬薄膜電容的原理與鋁電解電容完全不同,所以鋁電解電容的問題能在金屬薄膜電容上迎刃而解。

  金屬薄膜電容采用高分子聚合物薄膜基板和金屬薄膜,不會導(dǎo)致電解質(zhì)問題,且能調(diào)整厚度以達(dá)到更高的耐壓等級,壽命長達(dá)15年以上,能夠顯著降低產(chǎn)品生命周期的運營費用。憑借上述幾項適合變頻器應(yīng)用的優(yōu)勢,金屬薄膜電容引起了利德華福的關(guān)注。

  僅僅引起注意還不夠,想要勝任利德華福變頻器的核心部件“職位”,自身條件需要相當(dāng)優(yōu)秀。在變頻核心部件的“崗位爭奪戰(zhàn)”中,鋁電解電容和金屬薄膜電容毫無保留,各自秀出了自己的數(shù)值,如表1所示。

  

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  表 1 鋁電解電容和金屬薄膜電容之比較

  通過數(shù)值可以看到,在使用壽命、耐壓、耐浪涌電壓、耐低溫、耐震動、耐長期儲存及易安裝等各個方面, 金屬薄膜電容均具備明顯優(yōu)勢。應(yīng)用金屬薄膜電容,能夠大幅提高變頻器的可靠性,顯著降低電容導(dǎo)致的變頻器的運營維護(hù)成本,因此這個“職位”非它莫屬!

  (3)催化變頻新改變

  在利德華福變頻器產(chǎn)品上擔(dān)任重要“崗位”后,作為新一代元器件的金屬薄膜電容,借助其高耐壓和可自愈的特性,提供額定1200V的耐壓,無需電阻均壓電路,避免了因均壓失效導(dǎo)致的過壓損毀問題,為變頻器的設(shè)計和運行帶來了更加積極的變化:

  ?變化:更優(yōu)異的設(shè)計(見圖2)

  ?變化:更堅強(qiáng)的品質(zhì)

  

設(shè)計方案比較.png

  圖 2 設(shè)計方案比較

  當(dāng)電容端電壓超過耐壓極限后,金屬薄膜電容會導(dǎo)致金屬鍍膜擊穿并蒸發(fā),隨著過電壓的消失而自行恢復(fù),同時會損失該部分的容量;電解電容的過壓則會導(dǎo)致氧化膜的擊穿和電解液的蒸發(fā),并可能導(dǎo)致電容爆炸等情況。

  而采用金屬薄膜電容作為直流母線電容,可進(jìn)一步提高整個高壓變頻器的可靠性和穩(wěn)定性,并具備過壓擊穿后的自愈能力,顯著降低客戶在變頻器生命周期內(nèi)的運營成本。金屬薄膜電容作為中高壓變頻器直流支撐電容,也已逐漸成為行業(yè)的共識和必然趨勢。

  變頻器核心部件

  絕緣柵雙極型晶體管IGBT

  利德華福變頻器的核心元器件采用全稱為絕緣柵雙極型晶體管的IG BT (Insula t ed G a t e Bip o la r Transistor)。IGBT的可控開關(guān)能力使得變頻器可以通過PWM模式控制輸出電壓和頻率, 其特性決定了變頻器的輸入、輸出電壓、電流和輸出dv/dt性能,因此IGBT的選擇關(guān)系到整個產(chǎn)品的設(shè)計和品質(zhì)。在如此重要的元器件上,利德華福是如何進(jìn)行選擇的?

  

IGBT 模塊.png


  圖 3 IGBT 模塊

  (1)IGBT的額定電流選擇

  ?散熱效率

  散熱效率指散熱片轉(zhuǎn)移熱量的速度和能力,利德華福采用新型壓鑄式一體成型散熱器,通過翅片進(jìn)行高效散熱;

  ?過載要求

  利德華福變頻器均按照允許120%過載、1分鐘每10 分鐘設(shè)計,充分考慮現(xiàn)場使用中可能出現(xiàn)的過負(fù)荷工況, 確保設(shè)備持續(xù)、穩(wěn)定運行;

  ?核心溫升限值

  IGBT允許的溫升決定了IGBT允許輸出的電流大小, 除了散熱設(shè)計以外, IGBT的核心耐受溫度越高, 則允許輸出的電流越大,魯棒性也就越好;新型IGBT核心允許溫度可達(dá)150℃。

  (2)IGBT的額定電壓選擇

  ?電網(wǎng)過電壓

  IGBT需要可以耐受電網(wǎng)波動導(dǎo)致的電壓升高,通常為110%~130%電網(wǎng)額定電壓;

  ?關(guān)斷過電壓

  IGBT需要可以耐受關(guān)斷時,電路上的感性負(fù)荷以及雜散電感造成的電壓尖峰;

  ?故障過電壓

  IGBT還需能承受線路出現(xiàn)過電流時導(dǎo)致的過電壓, 并可靠關(guān)斷。

  (3)封裝更新,順應(yīng)變頻發(fā)展

  由于變頻器的封裝形式關(guān)系到控制回路和主回路的布局設(shè)計,同時進(jìn)一步影響電路的電氣性能, 所以IGBT 的封裝也要不斷變化, 順應(yīng)變頻器的發(fā)展需要。因此在IGBT封裝形式上,利德華福同樣“別出心裁”。

  ?更高電流密度

  IGBT芯片的電流密度隨著技術(shù)的發(fā)展逐步提高,目前最新型的小功率IGBT模塊已經(jīng)可以將整流,逆變電路集成在一個模塊內(nèi),實現(xiàn)高壓變頻的完整拓?fù)?。此種一體式模塊的功耗與分立器件在不高于傳統(tǒng)三模塊設(shè)計前提下一致。這樣的封裝大幅簡化設(shè)備結(jié)構(gòu)和體積,減少器件間的線纜連接和故障點,提高設(shè)備的穩(wěn)定性。

  ?更強(qiáng)的整流二極管芯片

  采用整流二極管芯片(一體式模塊)可以使整流橋耐壓進(jìn)一步提升至2000~2200V(對比傳統(tǒng)的1800V耐壓),并且浪涌電流耐量(I2t,IFSM)也進(jìn)一步增強(qiáng), 能有效防止電網(wǎng)電壓波動及沖擊電流造成的失效。

  

采用更強(qiáng)的整流二極管.png


  圖 4 采用更強(qiáng)的整流二極管

  ?焊接式引腳封裝

  

焊接式引腳 IGBT.png

  圖 5 焊接式引腳 IGBT

  這種封裝下,IGBT的控制回路(或主回路)都是通過焊接式引腳引出。如圖5所示,可以采用焊接在電路板上的形式,使用疊層母線設(shè)計,減小母線雜散電感,降低IGBT上的關(guān)斷尖峰電壓,延長IGBT使用壽命。

  (4)內(nèi)置測溫,精準(zhǔn)核心保護(hù)

  IGBT保護(hù)的核心是溫度保護(hù),因此IGBT的核心溫度測量就非常關(guān)鍵,傳統(tǒng)的溫度測量方案需要在IGBT旁的散熱片上安裝測溫元器件,但這樣的方式可能會帶來幾種問題:

  ?布置在散熱器,離發(fā)熱源較遠(yuǎn);

  ?檢測結(jié)果偏差大;

  ?溫度檢測響應(yīng)慢,時間常數(shù)大;

  ?繼電器輸出,無法讀取實際溫度值。

  為了避免上述問題所帶來的影響,利德華福采用了新型IGBT模塊內(nèi)置溫度檢測方案,在IGBT模塊內(nèi)部安裝測溫元器件,使溫度傳感器能夠采集實際溫度值,并且發(fā)送給主控系統(tǒng),從而實現(xiàn)了以下功能:

  ?集成在IGBT內(nèi)部,接近發(fā)熱源;

  ?檢測結(jié)果更準(zhǔn)確;

  ?溫度檢測時效性高,響應(yīng)快;

  ?實時溫度數(shù)值顯示。

  這種新型IGBT,可以進(jìn)一步提高整個高壓變頻器的可靠性,并有效縮短檢測、維修時間,降低用戶的維護(hù)費用。通過采用以All-in-one、EconoDual封裝為代表的新型IGBT,利德華福為變頻器的設(shè)計帶來了新潮流, 最新推出的第七代高壓變頻產(chǎn)品, 御電新生, 未來可“七”!

 


標(biāo)簽: 變頻器

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