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驅(qū)動和保護(hù)電源開關(guān)的先進(jìn)解決方案

時(shí)間:2022-12-06 16:59:51來源:21ic電子網(wǎng)

導(dǎo)語:?今天,新的功率開關(guān)技術(shù)被廣泛采用在高功率密度、高開關(guān)頻率、小外形因素是關(guān)鍵要求的要求應(yīng)用中。這些新的開關(guān)設(shè)備產(chǎn)生不同的三個關(guān)鍵應(yīng)用是:

  汽車(牽引逆變器、直流/直流轉(zhuǎn)換器和車載充電器)

  工業(yè)/電機(jī)控制(負(fù)荷點(diǎn)電源、不間斷電源、機(jī)器人技術(shù)、電機(jī)控制)

  電源/太陽能電源(太陽能逆變器、電信電源、服務(wù)器/云電源/PC電源)

  電源開關(guān)要么使用傳統(tǒng)的硅基技術(shù),如MOSFETs和絕緣柵極雙極晶體管(iGbT),要么使用最近的寬帶隙半導(dǎo)體,如碳化硅和氮化鎵。在相關(guān)應(yīng)用中,汽車是近年來獲得更多勢頭的行業(yè),主要是由于正在經(jīng)歷向電子移動性的過渡和電動汽車的逐步采用。

  電動汽車集成了多種傳感器和電子電路,包括一個高壓母線(400 V、800 V或更多)和一個本地低壓總線。碳化硅設(shè)備正在取代高壓系統(tǒng)中的硅基設(shè)備,如車載充電器、電池管理系統(tǒng)、主直流/直流轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器。

  高壓母線存在嚴(yán)重的安全問題,它必須與低壓母線進(jìn)行電隔離,同時(shí)仍然允許兩個電壓域之間在兩個方向上的信息交換。

  Skyworks隔離門驅(qū)動程序

  Skyworks解決方案是一家為無線網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用提供高度創(chuàng)新的模擬半導(dǎo)體的領(lǐng)先公司,最近完成了對硅實(shí)驗(yàn)室的基礎(chǔ)設(shè)施和汽車業(yè)務(wù)的收購。針對包括電動和混合動力汽車在內(nèi)的關(guān)鍵汽車領(lǐng)域的增長,天空工廠為硅、氮化鎵和碳化硅電源開關(guān)提供高性能和強(qiáng)大的隔離門驅(qū)動器。

  Skyworks解決方案公司的產(chǎn)品經(jīng)理查理·伊斯在2021年P(guān)owerUP博覽會上舉行了一場關(guān)于“驅(qū)動和保護(hù)未來的電源開關(guān)”的技術(shù)演講,談到了硅基和寬帶隙電源設(shè)備的關(guān)鍵門驅(qū)動器要求和保護(hù)方法。本文也將介紹同樣的主題。

  查理說:“特別是在電動汽車中,我們必須確保高壓側(cè)和低壓側(cè)保持隔離,同時(shí)確保它們?nèi)匀豢梢酝ㄟ^這個障礙進(jìn)行交流和交換信息?!?/p>

  隔離裝置的特性對于新的開關(guān)技術(shù)來說更重要,它們可以實(shí)現(xiàn)更高的效率,但更敏感,更容易損壞。因此,這些新的開關(guān)技術(shù)需要獨(dú)特的保護(hù),以安全可靠地運(yùn)行。

  傳統(tǒng)上,電力電子系統(tǒng)依賴于igbt,這是在高功率和高電壓下每瓦特最便宜的解決方案。然而,igbt的切換速度較慢,從而限制了系統(tǒng)的效率。這就是碳化硅和氮化鎵都曾介入以真正提高效率的地方。兩者的一個缺點(diǎn)是,它們不能像IGBT那樣承受盡可能多的故障條件,這就是為什么它們需要額外的保護(hù)。

  1. 在高壓系統(tǒng)中,出于安全原因,我們必須將高壓側(cè)和低壓側(cè)分開。通常,設(shè)計(jì)師決定將控制器保持在低壓側(cè),以便它遠(yuǎn)離噪音和大的瞬變??刂破鳟a(chǎn)生脈沖寬調(diào)制(PWM)信號,并將它們通過隔離屏障傳遞到柵極驅(qū)動器,這基本上將低壓PWM信號放大到一個更高的信號,能夠使電源設(shè)備打開和關(guān)閉。隔離柵驅(qū)動器執(zhí)行的兩個主要功能是將3V或5V信號電平移到24 V或30 V的高壓軌道,并為柵電容器充電/放電提供開關(guān)電流。通過增加一個電流隔離屏障,該裝置實(shí)現(xiàn)了兩個主要優(yōu)點(diǎn):

  2. 它提供了輸入到輸出的隔離,以保護(hù)控制器,甚至可能是人員,從高壓和電壓瞬態(tài)。

  3. 它有助于保持噪音免疫操作,以達(dá)到最佳的效率。高壓瞬態(tài)會擾亂操作,導(dǎo)致調(diào)制的損失,從而失去效率。

  隔離的柵極驅(qū)動器甚至可以安全地用于開關(guān)高功率開關(guān),如硅或超結(jié)MOSFETs、igbt,以及寬帶隙開關(guān),如氮化鎵和碳化硅。隔離門驅(qū)動器有多種類型可供選擇:單通道、雙通道,以及可以從單個PWM輸入產(chǎn)生高側(cè)和低側(cè)信號的驅(qū)動器。

  “我通常發(fā)現(xiàn),許多汽車系統(tǒng)使用單通道驅(qū)動程序,因?yàn)樗麄兪拱鍖硬季指菀?然而,雙通道驅(qū)動器和高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動器在電源系統(tǒng)中非常受歡迎,”查理說。

  關(guān)于保護(hù),關(guān)鍵的方法之一是米勒鉗。它的功能是監(jiān)控柵極上的電壓,如果電壓過高,它就會夾住它?;旧?,它是一個主動的監(jiān)視器,以確保門總是關(guān)閉的。然而,Miller鉗夾保護(hù)對于碳化硅和氮化鎵電源設(shè)備還不夠,它們更靈敏,損壞速度更快。我們在驅(qū)動碳化硅或氮化鎵設(shè)備時(shí)需要添加的另一個功能,提高它們的保護(hù)和壽命,是去飽和檢測和軟關(guān)閉。

  在高功率系統(tǒng)中,如牽引逆變器,電力設(shè)備經(jīng)歷短暫的過流狀態(tài)并不少見。在這種情況下,帶有去檢測的隔離柵驅(qū)動器可以監(jiān)測電源開關(guān)的電壓(VCE)。如果它檢測到太多的電壓,這將表明一個故障情況,它會自動以一種非常安全的方式關(guān)閉它,也稱為軟關(guān)機(jī)。然而,重要的是要足夠快地關(guān)閉設(shè)備,以避免被損壞。在這里,我們可以看到交換設(shè)備的行為是如何不同的。例如,IGBT需要在3μs內(nèi)關(guān)閉,而碳化硅設(shè)備需要在1.2μs內(nèi)關(guān)閉,氮化鎵設(shè)備需要在200 ns內(nèi)關(guān)閉。

  查理說:“這是兩種關(guān)鍵技術(shù)——米勒鉗夾和去飽和檢測——對于成功駕駛碳化硅和氮化鎵、使系統(tǒng)可靠和在許多方面的安全至關(guān)重要?!?/p>

標(biāo)簽: 電源

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