晶體管加速電路將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細內(nèi)容如下。

　　一、晶體管加速電路

　　晶體管加速電路?是通過特定的電路設(shè)計和技術(shù)手段，以提高晶體管的開關(guān)速度和性能的電路。這些電路通常采用以下幾種方法來實現(xiàn)加速效果：

　　1、?使用加速電容?：通過在基極限流電阻上并聯(lián)一個小容量的電容(一般pF級別)，當(dāng)輸入信號上升或下降時，這個電容能夠瞬間旁路限流電阻并提供基極電流，從而在晶體管由導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止?fàn)顟B(tài)時能夠迅速從基區(qū)取出電子，消除開關(guān)的時間滯后，提高開關(guān)速度。加速電容的最佳值需要根據(jù)實際電路的開關(guān)波形來確定。

　　2、?肖特基鉗位?：在基極與集電極之間接入肖特基二極管，這種二極管由金屬與半導(dǎo)體接觸形成，具有開關(guān)速度快、正向壓降小的特點。肖特基鉗位能夠改變晶體管的工作點，減小電荷存儲效應(yīng)的影響，從而提高開關(guān)速度。與接入加速電容相比，肖特基鉗位電路不會降低電路的輸入阻抗。

　　3、?減小基極電阻?：通過減小基極限流電阻的值，可以加快輸出波形的上升速度，這是一種與減小電阻值等效的提高開關(guān)速度的方法。減小電阻值可以使低通濾波器的截止頻率升高，從而加快開關(guān)速度。

　　這些加速電路的設(shè)計旨在提高晶體管在高速開關(guān)應(yīng)用中的性能，如數(shù)字邏輯電路和高速電子設(shè)備中，其中晶體管的快速響應(yīng)對于系統(tǒng)的整體性能至關(guān)重要。通過上述方法，可以有效提升晶體管的開關(guān)速度，進而提升整個電路系統(tǒng)的運行效率和響應(yīng)速度?。

　　二、幾款常見的晶體管加速電路

　　為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動電路的設(shè)計上會采取一些加速措施。如下：

　　在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf~3.3nf。當(dāng)Nb上端產(chǎn)生一個正的驅(qū)動電壓時，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認(rèn)為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導(dǎo)通。之后，電容CB被充電至激勵電壓的峰值而進入穩(wěn)態(tài)。當(dāng)晶體管的驅(qū)動電壓突變?yōu)?時，還是因為電容電壓不能突變，CB兩端的電壓加到VT1的發(fā)射結(jié)上，可以形成很大的反向基極抽取電流，使VT1迅速關(guān)閉并進入問題。

　　在加速電路二中，高速開關(guān)二極管IN4148與電阻R1的作用是當(dāng)晶體管VT1截止時，為反向基極電流提供一個低阻抗的通路。

　　在加速電路三中，并聯(lián)在基極電阻RB兩端的高速開關(guān)二極管IN4148的作用是當(dāng)晶體管VT1截止時，為反向基極電流提供通路，迅速釋放基極與發(fā)射極間電容儲存的電量，加快晶體管的關(guān)閉。