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用串聯(lián)連接的電壓源PWM變頻器抑制變壓器沖擊電流的方法

時(shí)間:2008-12-24 13:43:12來(lái)源:dujing

導(dǎo)語(yǔ):?用串聯(lián)連接的電壓源PWM變頻器抑制變壓器沖擊電流的方法

摘要 : 提出了抑制變壓器沖擊電流的新方法。小功率電壓源PWM 變頻器通過(guò)匹配的變壓器與其他變壓器串聯(lián)。當(dāng)接通的 PWM 變頻器為阻性時(shí),沒(méi)有沖擊現(xiàn)象發(fā)生。單相電路中,電流沖擊時(shí)充當(dāng)阻尼電阻的PWM變頻器的額定功率為主變壓器的 14%,而在三相電路中為 19%。利用PSCAD/EMTDC技術(shù)數(shù)字計(jì)算機(jī)仿真無(wú)法確定該方法的有效性和良好的實(shí)用性。研制了一臺(tái)試驗(yàn)樣機(jī)進(jìn)行試驗(yàn),結(jié)果證實(shí)所提出的方法可以完全避免沖擊現(xiàn)象的發(fā)生。

關(guān)鍵詞:沖擊電流;二次沖擊現(xiàn)象;鐵心飽和;串接電壓源PWM變頻器;變壓器模型;PSCAD/EMTDC

1 沖擊電流抑制法

1.1 用 PSGAD/EMTDC組建的變壓器模型

PSCAD/EMTDC考慮了變壓器的鐵心飽和及電源接通時(shí)會(huì)產(chǎn)生沖擊電流的問(wèn)題。表1列出本文所提及的變壓器的試驗(yàn)結(jié)果。根據(jù)該試驗(yàn)結(jié)果,在PSCAD/EMTDC基礎(chǔ)上構(gòu)建了變壓器模型。表2示出在PSCAD,EMTDC基礎(chǔ)上構(gòu)建的變壓器模型的參數(shù),PSCAD,EMTOc技術(shù)可以考慮鐵心的飽和磁通和磁滯,但為簡(jiǎn)化起見(jiàn),磁滯可忽略不計(jì),僅考慮飽和電壓、沖擊電流衰減時(shí)間和空心阻抗。變壓器模型沒(méi)有考慮變壓器的匝數(shù) 和鐵心截面積,磁通利用電壓積分模擬生成。因此 ,按設(shè)定的飽和電壓可能考慮鐵心飽和問(wèn)題。這里的飽和電壓為 1.25 pu。對(duì)于電力變壓器,一般假設(shè)所用取向性硅鋼片的額定磁通密度為 1.5 T,飽和電壓下的飽和磁通密度為2.1 T。一方面,電壓相位為0時(shí)接通變壓器,鐵心的最大磁通密度則為3.0 T。由此可知 ,用設(shè)定的飽和電壓來(lái)研究變壓器鐵心的飽和現(xiàn)象是 比較恰當(dāng)?shù)???招碾娍谷Q于線圈 的電抗,即使在鐵心完全飽和、變壓器鐵心為空心狀態(tài)時(shí),也存在空心電抗的阻抗。為簡(jiǎn)化起見(jiàn),在PSCAD/EMTOC中把空心電抗值設(shè)定為漏抗的2倍。另一方面,文獻(xiàn) [3]給出了空心電抗的實(shí)測(cè)值,比漏抗約大20% 30%??紤]到這一點(diǎn),本文中使用PSCAD/EMTDC的設(shè)定值,把空心電抗看成是漏抗的2倍。在表2中。漏抗為0.114n.空心電抗即為0.228Ω。在PscAD/EMTDc中有必要給空心電抗一個(gè)單位 “pu”。研究用的變壓器的額定電壓為200V、額定電流為3OA、額定阻抗為6.67Ω,因此把空心電抗設(shè)定為 0.034 pu。

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