1　概述 　　近年來，隨著城市電網(wǎng)建設(shè)的發(fā)展，GIS變電站的數(shù)量不斷增加。目前，河南省內(nèi)GIS變電站已接近40座，預(yù)計(jì)今后幾年內(nèi)還將繼續(xù)增加。由于GIS設(shè)備的運(yùn)行電壓高、其內(nèi)空間極為有限，導(dǎo)致GIS設(shè)備的工作場(chǎng)強(qiáng)很高。另一方面，GIS設(shè)備中絕緣裕度相對(duì)較小，在嚴(yán)格控制的環(huán)境條件下，GIS設(shè)備中SF6氣體的擊穿強(qiáng)度可望達(dá)到相當(dāng)高的水平，但實(shí)際通常只能達(dá)到期望值的一半，甚至更低。一旦GIS設(shè)備內(nèi)部出現(xiàn)某種缺陷，極易發(fā)生設(shè)備故障。隨著GIS變電站數(shù)量的增多，GIS設(shè)備發(fā)生故障的幾率也在增加。由于以往人們認(rèn)為GIS設(shè)備屬于免維護(hù)設(shè)備，加之GIS變電站數(shù)量較少，監(jiān)測(cè)設(shè)備故障的手段和措施相對(duì)有限。因此，加強(qiáng)和完善GIS設(shè)備交接試驗(yàn)以及GIS設(shè)備的運(yùn)行監(jiān)測(cè)，對(duì)保障GIS設(shè)備的安全運(yùn)行具有重要意義。 　　研究表明，GIS設(shè)備內(nèi)部故障以絕緣性故障為多。2001年河南省發(fā)生的3起GIS設(shè)備故障均為絕緣性故障。國(guó)內(nèi)其它省份亦有類似情況。GIS設(shè)備的局部放電往往是絕緣性故障的先兆和表現(xiàn)形式。一般認(rèn)為，GIS設(shè)備中放電使SF6氣體分解，嚴(yán)重影響電場(chǎng)分布，導(dǎo)致電場(chǎng)畸變，絕緣材料腐蝕，最終引發(fā)絕緣擊穿。實(shí)踐證明，開展局部放電檢測(cè)可以有效避免GIS事故的發(fā)生。目前，河南省有關(guān)部門正在研究和制定GIS設(shè)備局部放電測(cè)量的具體實(shí)施方案，擬將GIS設(shè)備局部放電測(cè)量列入GIS設(shè)備交接試驗(yàn)和運(yùn)行監(jiān)測(cè)項(xiàng)目。 [b]2　GIS設(shè)備局部放電檢測(cè)方法 [/b]　　GIS設(shè)備局部放電既是內(nèi)部絕緣故障的先兆，又是絕緣故障的典型表現(xiàn)。 　　2．1　GIS設(shè)備內(nèi)部常見缺陷 　　a．GIS設(shè)備中固體絕緣材料內(nèi)部的缺陷　如生產(chǎn)工藝過程中殘存在盆式絕緣子內(nèi)部或與導(dǎo)體交界處的氣隙。 　　b．GIS設(shè)備內(nèi)殘留自由導(dǎo)電微粒，如金屬碎屑或金屬顆?！∵@是較為普遍存在的一種缺陷，一般是由于制造、安裝等原因造成的。 　　c．GIS設(shè)備中的導(dǎo)體表面存在突出物，如毛刺、尖角等　這種缺陷易發(fā)生電暈放電，在穩(wěn)定的運(yùn)行電壓下一般不會(huì)引發(fā)絕緣擊穿，但在沖擊電壓下可能導(dǎo)致絕緣擊穿。 　　d．GIS設(shè)備內(nèi)的導(dǎo)體接觸不良等。 　　上述缺陷往往可以引發(fā)GIS設(shè)備局部放電。 　　2．2　GIS設(shè)備內(nèi)部缺陷產(chǎn)生局部放電的特征 　　a．發(fā)生在導(dǎo)體周圍的電暈放電，由于氣體中的分子是自由移動(dòng)的，因此GIS設(shè)備中的電暈放電過程與空氣中的電暈放電相似。 　　b．GIS設(shè)備中絕緣子內(nèi)部的氣隙放電在工頻正負(fù)兩個(gè)半周內(nèi)基本相同，即正負(fù)半周放電指紋基本對(duì)稱。放電脈沖一般出現(xiàn)在試驗(yàn)電壓幅值絕對(duì)值的上升部分，放電頻率依賴于所加電壓大小，只有在放電強(qiáng)烈時(shí)，才會(huì)擴(kuò)展到電壓絕對(duì)值下降部分的相位上，且每次放電的大小不相等。絕緣子缺陷在出廠時(shí)可能并不出現(xiàn)，但在運(yùn)輸及安裝過程中有可能造成損傷。一些缺陷最初可能無害，只是在機(jī)械振動(dòng)和靜電力作用下可能輕微移動(dòng)，形成潛在的隱患。 　　c．絕緣子表面的缺陷（如污穢等）有助于表面電荷的增加，可能會(huì)形成表面放電，導(dǎo)致絕緣子表面的絕緣劣化，甚至擊穿。 　　d．自由導(dǎo)電微粒和固體導(dǎo)體上金屬突起放電的相位分布有著明顯不同。這個(gè)特征通?？梢杂脕韰^(qū)分缺陷的類型。GIS設(shè)備中自由導(dǎo)電微粒有積累電荷能力，在交流電壓作用下，靜電力可使導(dǎo)電微粒在GIS筒內(nèi)跳動(dòng)，如直立旋轉(zhuǎn)、舞動(dòng)運(yùn)動(dòng)等。這種運(yùn)動(dòng)與放電的出現(xiàn)在很大程度上是隨機(jī)的，這一過程與所加電壓大小以及微粒的特性有關(guān)。如果一個(gè)跳動(dòng)的微粒接近或運(yùn)動(dòng)至GIS設(shè)備中的高場(chǎng)強(qiáng)區(qū)時(shí)，伴隨產(chǎn)生的局部放電有可能形成導(dǎo)電通道，造成絕緣擊穿。相對(duì)而言，GIS設(shè)備內(nèi)殘留的金屬碎屑或金屬顆粒產(chǎn)生的各種效應(yīng)是最為嚴(yán)重的，因此，金屬顆粒的放電對(duì)GIS設(shè)備的危害相對(duì)較大。