摘 要：針對(duì)實(shí)際系統(tǒng)將電機(jī)系統(tǒng)的交流電源、整流環(huán)節(jié)、逆變環(huán)節(jié)、電機(jī)作為整體進(jìn)行分析，為了分析方便將傳導(dǎo)干擾分為共模干擾和差模干擾進(jìn)行研究，分析了PWM電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中存在的主要共模和差模干擾通道，由于傳導(dǎo)干擾的路徑和上下橋臂 IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷有很大關(guān)系，因此分析了 IGBT不同的開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的共模干擾和差模干擾的傳播路徑，三種不同的仿真結(jié)果得出一致的結(jié)論說(shuō)明本文機(jī)理分析的正確性。 關(guān)鍵詞：PWM電機(jī)驅(qū)動(dòng)，傳導(dǎo)干擾，機(jī)理分析 1．引言 由于PWM技術(shù)應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，功率變換器采用MOSFET、IGBT、可關(guān)斷晶閘管等開(kāi)關(guān)器件。為了得到更好的電機(jī)系統(tǒng)控制性能指標(biāo)，開(kāi)關(guān)器件的工作頻率就越來(lái)越高，在開(kāi)關(guān)和關(guān)斷的瞬間產(chǎn)生很大的電壓和電流變化率，這就是強(qiáng)電磁干擾（EMI）產(chǎn)生的原因，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了現(xiàn)在電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的允許值。產(chǎn)生的電磁干擾主要是以傳導(dǎo)的形式進(jìn)行傳播的，機(jī)理分析是數(shù)學(xué)模型建立的基礎(chǔ)，因此機(jī)理分析對(duì)于PWM電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)傳導(dǎo)干擾的研究具有重要意義。 國(guó)內(nèi)外有很多文獻(xiàn)在這方面做了一定的研究，文獻(xiàn)[1]針對(duì)IGBT的高du/dt給電力電子裝置帶來(lái)的嚴(yán)重共模電磁干擾問(wèn)題,深入分析了Buck電路的共模干擾。文獻(xiàn)[2]以電路理論為基礎(chǔ)，建立了單端正激式變換器中，由功率MOSFET的漏極與接地散熱器之間寄生電容所形成的輸入端共模干擾分析模型。這里就不一一介紹了，本文的機(jī)理分析將電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)作為一個(gè)整體來(lái)研究，這在文獻(xiàn)中很少發(fā)現(xiàn)。 PWM電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)傳導(dǎo)干擾機(jī)理分析全文下載