日前在華盛頓舉行的國際電子器件大會（IEDM）上，美國合瑞士的一些研究團隊制備的InP基射頻和數字器件其工作速度接近1個太赫（THz）。這些從事HEMT和HBT設計的團隊公布了最近的進展，Northrop Grumman的Richard Lai報道了首款振蕩頻率（fmax）為太赫級的晶體管，事實上該InP基PHEMT器件的頻率達到1.2THz，這是個里程碑。Lai及其團隊的目標是開發(fā)出第一種工作在太赫級的射頻放大器。 Lai指出，在一塊成品率超過90%的晶片上制備的最新器件，其主要特征包括增強的電子束光刻和一個精確的外延結構。之前的設計采用了一個70nm的柵極結構，它的fmax值是700GHz；但此次新結構中Lai及其同事減薄柵極的厚度至35nm（詩集的柵極厚度在30nm到50nm之間），使得晶體管的頻率更快。同樣，對偽外延結構也要按比例減小，具體方法是用MBE生長一個InAs/InGaAs復合溝道，以及可減少歐姆接觸阻值的高摻雜頂層。 要計算出fmax和截至頻率（ft）是一件復雜的事，但可試用許多不同的方法，無論是哪種，Lai指出Northrop Grumman推出的InP HEMT器件其fmax和ft值分別在1THz和450GHz以上。 關于晶體管 晶體管，本名是半導體三極管，是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用，應用十分廣泛。輸入級和輸出級都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬于半導體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個獨立的元件.晶體管是半導體三極管中應用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示。 晶體管被認為是現代歷史中最偉大的發(fā)明之一，在重要性方面可以與印刷術，汽車和電話等的發(fā)明相提并論。晶體管實際上是所有現代電器的關鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規(guī)模生產的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。 雖然數以百萬計的單體晶體管還在使用，絕大多數的晶體管是和二極管|-｛A|zh-cn:二極管;zh-tw:二極體｝-，電阻，電容一起被裝配在微芯片（芯片）上以制造完整的電路。模擬的或數字的或者這兩者被集成在同一塊芯片上。設計和開發(fā)一個復雜芯片的生本是相當高的，但是當分攤到通常百萬個生產單位上，每個芯片的價格就是最小的。一個邏輯門包含20個晶體管，而2005年一個高級的微處理器使用的晶體管數量達2.89億個。 晶體管的低成本，靈活性和可靠性使得其成為非機械任務的通用器件，例如數字計算。在控制電器和機械方面，晶體管電路也正在取代電機設備，因為它通常是更便宜，更有效地僅僅使用標準集成電路并編寫計算機程序來完成同樣的機械任務，使用電子控制，而不是設計一個等效的機械控制。 因為晶體管的低成本和后來的電子計算機，數字化信息的浪潮來到了。由于計算機提供快速的查找、分類和處理數字信息的能力，在-｛A|zh-cn:信息;zh-tw:資訊｝——｛A|zh-cn:數字;zh-tw:數位｝-化方面投入了越來越多的精力。今天的許多媒體是通過電子形式發(fā)布的，最終通過計算機轉化和呈現為模擬形式。受到數字化革命影響的領域包括電視，廣播和報紙。