臺(tái)積電獨(dú)木難撐 臺(tái)灣痛失最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)寶座

時(shí)間:2017-07-13

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導(dǎo)語(yǔ):臺(tái)灣的半導(dǎo)體設(shè)備投資,幾乎只靠臺(tái)積電撐著,一旦臺(tái)積電投資動(dòng)作放緩下來(lái),自然沒(méi)辦法繼續(xù)穩(wěn)坐最大市場(chǎng)寶座。

到去年為止,臺(tái)灣已經(jīng)連續(xù)5年成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng),但根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)的預(yù)估,臺(tái)灣今年將把最大設(shè)備市場(chǎng)的寶座拱手讓給韓國(guó),明年還會(huì)被大陸超越。而講白一點(diǎn),臺(tái)灣的半導(dǎo)體設(shè)備投資,幾乎只靠臺(tái)積電撐著,一旦臺(tái)積電投資動(dòng)作放緩下來(lái),自然沒(méi)辦法繼續(xù)穩(wěn)坐最大市場(chǎng)寶座。

臺(tái)積電未來(lái)幾年的年度資本支出預(yù)算將維持在100億美元以上,除了持續(xù)擴(kuò)充7奈米產(chǎn)能,也開(kāi)始規(guī)畫(huà)興建支援最新極紫外光(EUV)微影技術(shù)的先進(jìn)制程產(chǎn)能,并且規(guī)畫(huà)興建支援5奈米的晶圓廠。只不過(guò),臺(tái)積電現(xiàn)在的技術(shù)能力,同一套設(shè)備投資可以應(yīng)用在2個(gè)制程世代,如臺(tái)積電中科廠的新投資,就可同時(shí)支援10nm及7nm,但這也代表臺(tái)積電的資本支出成長(zhǎng)趨緩。

至于其它半導(dǎo)體廠的投資部份,聯(lián)電的資本支出每年都維持在20億美元左右,日月光及硅品的資本支出加起來(lái)不超過(guò)10億美元,記憶體廠的資本支出就更有限。

反觀韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展近況,三星及SK海力士是全球兩大記憶體廠,今年以來(lái)DRAM及NANDFlash價(jià)格大漲,產(chǎn)能嚴(yán)重吃緊,兩家大廠自然會(huì)全力擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)需求。尤其是三星及SK海力士正全力擴(kuò)大3DNAND的產(chǎn)能,全新的晶圓廠投資規(guī)模龐大,所以韓國(guó)今年才會(huì)擠下臺(tái)灣成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng),明年也可望繼續(xù)蟬連最大市場(chǎng)寶座。

大陸近年來(lái)積極投資興建12寸晶圓廠,不僅臺(tái)積電南京廠、聯(lián)電廈門廠、力晶合肥廠已卡位,包括中芯國(guó)際、武漢新芯等大陸業(yè)者也陸續(xù)宣布投資興建新廠,英特爾、格羅方德、三星、SK海力士等國(guó)際大廠亦有投資案在進(jìn)行。隨著各地新晶圓廠建廠在明年完成并開(kāi)始采購(gòu)設(shè)備,設(shè)備支出規(guī)模當(dāng)然可以超過(guò)臺(tái)灣。

總體來(lái)看,臺(tái)灣痛失最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)寶座,就是因?yàn)槌伺_(tái)積電外,其它半導(dǎo)體廠都沒(méi)有太大的投資。對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō),投資是追求成長(zhǎng)的必要條件,一旦投資緩了下來(lái),營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)動(dòng)能自然也會(huì)緩下來(lái),成為一種惡性循環(huán),這對(duì)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)也將會(huì)是一大傷害。

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