【中國傳動網(wǎng) 市場分析】 功率半導體是指在電子設備中用于電源轉換或者電源管理的半導體。隨著對節(jié)能減排的需求迫切，功率半導體的應用領域已從工業(yè)控制和4C領域，進入新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場。

數(shù)據(jù)顯示，2017年全球功率半導體市場中，工業(yè)應用市場占比為34%，汽車應用市場占比為23%，消費電子應用占比為20%，無線通訊應用占比為23%。

國內(nèi)功率器件的應用分布

半導體功率器件在功率半導體中十分重要。目前，國內(nèi)以揚杰科技、華微電子、士蘭微為代表的功率半導體龍頭企業(yè)市場占有率非常低，進口替代的空間巨大。據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院，2018年國內(nèi)半導體功率器件十強企業(yè)中，排名第一的為吉林華微科技，2017年營收達16.4億元。揚州揚杰電子科技排名第二，2017年營收為14.7億元。以下為排名：

國內(nèi)功率器件十強

功率器件市場現(xiàn)狀：歐美日把持，國內(nèi)仍需努力

縱觀整個功率器件市場，整體態(tài)勢是歐美日廠商三足鼎立。其中美國功率器件處于世界領先地位，擁有一批具有全球影響力的廠商，例如TI、Fairchild、Maxim、ADI、ONSemiconductor和Vishay等廠商。歐洲擁有Infineon、ST和NXP三家全球半導體大廠。日本主要有Toshiba、Renesas、Rohm、Matsushita、FujiElectric等。中國臺灣擁有富鼎先進、茂達、安茂、致新和沛亨等一批廠商。而我國則有上述代表。

功率半導體器件細分領域多，行業(yè)整體增速較緩，大廠傾向于業(yè)內(nèi)并購，通過布局新領域實現(xiàn)增長。2016年英飛凌科技成為全球功率半導體的主要供應商，其在2015年初收購美國國際整流器公司（InternationalRectifier）后，英飛凌超過三菱電機成為領先的功率模塊制造商。德州儀器在2015年被英飛凌超越后，于2016年退居全球第二。安森美完成對飛兆半導體（Fairchild）的收購后，市場排名升至第三位，其在功率分立器件市場份額躍升10%。2016年建廣資本以27.5億美元并購了NXP的標準器件部門，中國企業(yè)首次進入行業(yè)全球前十強。

雖然國內(nèi)功率器件近幾年獲得了不少的突破，且國內(nèi)功率半導體器件市場規(guī)模大，但我們應該看到國內(nèi)產(chǎn)業(yè)仍處于起步階段。

據(jù)賽迪顧問，2016年，中國功率半導體市場規(guī)模達到了1496億元，占據(jù)了全球40%以上的市場。然而供應鏈仍然被國外廠商所壟斷，國內(nèi)企業(yè)相對而言規(guī)模較小、技術落后、品類不全，產(chǎn)業(yè)仍然處于起步和加速追趕的階段。國內(nèi)功率半導體企業(yè)排名第一的吉林華微，2016年營收為13.95億元，凈利潤僅為4060萬元。而全球行業(yè)老大英飛凌2016集團營收高達64.73億歐元，中國龍頭企業(yè)和行業(yè)龍頭的差距在30倍以上。

據(jù)Yole，功率IC市場競爭格局成熟，供應鏈較為完善。美國在功率IC領域具有絕對領先優(yōu)勢，歐洲在功率IC和功率分立器件方面也都具有較強實力，日本在功率IC芯片方面，雖然廠商數(shù)量眾多，但整體市場份額不高。功率IC下游核心產(chǎn)品—電源IC，Dialog、Qualcomm以及Maxim三家主要供應商以遙遙領先的市占率主宰了智能手機市場。2016年建廣資本27.5億美元收購NXP標準部門完成交割，力圖填補國內(nèi)汽車、工業(yè)IC領域空白。

細分到各個領域，在功率二極管方面，國內(nèi)廠商具競爭力，進口替代空間大。

這個領域，國際最大廠商是Vishay，占據(jù)11.71%市場份額，而后第二至第七大廠商市場份額為5%-8%，與第一相差無幾，再在其后廠商市場份額不足5%，市場相對分散。其中國內(nèi)廠商揚杰科技市場份額為2.01%。功率二極管技術成熟、市場進入門檻低，注重的是生產(chǎn)過程的控制和成本的控制。國內(nèi)廠商由于生產(chǎn)工藝控制精湛、人力成本低具有一定競爭力，國產(chǎn)替代空間較大。根據(jù)工信部發(fā)布的中國電子信息產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計年鑒，自2014年后，中國二極管及類似半導體器件出口數(shù)量持續(xù)超過進口額。

在硅基MOSFET方面，國內(nèi)廠商潛力大，進口替代正當時。國內(nèi)廠商主要集中在低壓MOSFET領域，中高壓MOSFET主要被國外廠商占據(jù)。據(jù)IHS，國內(nèi)功率MOSFET市場主要廠商是英飛凌，2016年市場份額達28.5%，與位于第二的安森美半導體占據(jù)了國內(nèi)將近一半市場。國內(nèi)廠商只有士蘭微和吉林華微上榜，分別占據(jù)了1.9%和1.1%的市場份額，進口替代的空間巨大。

2016年，建廣資本以27.5億元收購恩智浦半導體（NXPSemiconductors）標準產(chǎn)品業(yè)務部門，成立一家名為Nexperia的獨立公司。

Nexperia承接了NXP中MOSFET所有業(yè)務，一躍成為MOSFET領域全球第十、國內(nèi)第八（市場份額3.8%）的廠商。NXP是工業(yè)與汽車半導體領域大廠商，相比之下，工業(yè)和汽車半導體一直是中國半導體企業(yè)的弱項，由于這個領域的產(chǎn)品門類多、單量小、售價高、迭代慢，國內(nèi)企業(yè)很難進入。Nexperia的成立彌補了國內(nèi)廠商在這一領域的短板。此外，2016年建廣資本還與NXP成立合資公司瑞能半導體，產(chǎn)品主要為二極管、雙極性晶體管、可控硅整流器，以及收購NXPRFPower部門，成立安譜隆公司致力于射頻技術領域的創(chuàng)新與研發(fā)。

至于硅基IGBT，海外廠商優(yōu)勢明顯，CR4高達70.8%。

據(jù)IHS，2016年，英飛凌、三菱電機、富士電機(FujiElectric)、德國賽米控(SEMIKRON)四大海外供應商占了全球IGBT市場的70.8%。盡管中國功率半導體市場占世界市場的40%以上，但在IGBT主流器件上，90%主要依賴進口，目前僅在大功率軌道交通領域實現(xiàn)國產(chǎn)化，2016年國廠嘉興斯達、中國中車市占率分別為1.6/0.6%。

值得一提的是中國中車，他們立足高鐵用IGBT，快速推進。在合并前，北車在IGBT模塊封裝上與ABB技術合作，建設高功率模塊生產(chǎn)線，成為國內(nèi)首家能夠封裝6500V大功率模塊及解決方案的提供商。南車則在海外收購Dynex公司建立IGBT芯片設計中心，總投資14億元建設國內(nèi)首條八英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，除芯片外，還有9條滿足不同行業(yè)的IGBT模塊生產(chǎn)線，預計完全投產(chǎn)后，中車將年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只IGBT模塊。

來到第三代半導體方面，依然是海外公司技術領先，國內(nèi)起步時間晚，尚在追趕。

SiC關鍵技術由海外公司壟斷，從產(chǎn)業(yè)鏈來看，上游部分，CREE公司獨占SiC晶元制造市場份額60%以上；中游部分，英飛凌、CREE、意法半導體和安森美等功率半導體領域國際排名前十的企業(yè)合計已在SiC功率器件市場占據(jù)50%以上份額。相比于美國CREE公司于2003年推出SiC產(chǎn)品，國內(nèi)公司起步晚，技術相對落后。直到2015年初，泰科天潤才首次實現(xiàn)了碳化硅肖特基二極管的量產(chǎn)，目前國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)規(guī)模于國外相比尚有較大差距。

由此可見，對于中國功率器件廠商來說，依然任重而道遠！