2018年，對中國的集成電路而言，是不平靜、也是不平凡的一年。有中美貿(mào)易戰(zhàn)爆發(fā)的震驚和思考，也有AI和5G等推進的振奮和憧憬；有芯片業(yè)的緊迫和焦灼，也有社會力量和資本的關(guān)注和熱捧……

回顧2018年下半年的產(chǎn)業(yè)事件，可以發(fā)現(xiàn)我國各地正加速布局第三代半導體產(chǎn)業(yè)。

第三代半導體材料即寬禁帶半導體材料（禁帶寬度大于2.2ev），主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAS）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN），較為成熟的是碳化硅和氮化鎵被稱為第三代半導體材料的雙雄，而氧化鋅、金剛石、氮化鋁的研究尚屬起步階段。微波射頻領(lǐng)域、光電領(lǐng)域、電力電子等領(lǐng)域為第三代半導體提供了廣闊的市場空間。

對第三代半導體項目進行統(tǒng)計發(fā)現(xiàn)，今年下半年我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)落地加速，有超過9個項目落地、開工、投產(chǎn)等，三安光電正式推出6英寸SiC晶圓代工制程。

根據(jù)以上表格，可以看到有4個項目投資金額超過10億元，下面我們就來重點看看這4個項目的情況。

01聚力成外延片和芯片產(chǎn)線項目

聚力成外延片和芯片產(chǎn)線項目由重慶捷舜科技有限公司投資建設(shè)，預計總投資50億元，主要從事氮化鎵外延片、芯片研發(fā)與生產(chǎn)、芯片封裝代工服務(wù)等。

據(jù)悉，按計劃，該項目在簽約后1個月內(nèi)啟動建設(shè)，12個月內(nèi)完成一期廠房建設(shè)并開始試生產(chǎn)。投產(chǎn)后的5年內(nèi)總產(chǎn)值將達到100億元，稅收將超過13億元。同時，聚力成外延片和芯片產(chǎn)線項目產(chǎn)業(yè)配套項目總投資達40億元，占地300畝，還將建設(shè)中國區(qū)總部、科技研發(fā)及產(chǎn)學基地。

02天岳碳化硅材料項目

天岳碳化硅材料項目由山東天岳晶體材料有限公司開發(fā)建設(shè)，總投資30億元，項目分為兩期建設(shè)，一期占地156畝，主要生產(chǎn)碳化硅導電襯底，預計年產(chǎn)值可達13億元；二期主要生產(chǎn)功能器件，包括電力器件封裝、模塊及裝置，新能源汽車及充電站裝置、軌道交通牽引變流器、太陽光伏逆變器等，預計年產(chǎn)值可達50～60億元。

據(jù)湖南日報報道，該項目的開工標志著國內(nèi)最大的第三代半導體碳化硅材料項目及成套工藝生產(chǎn)線正式開建。

03中科院碳化硅產(chǎn)業(yè)一體化項目

中科院碳化硅產(chǎn)業(yè)一體化項目總投資20億元，主要產(chǎn)品為碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOS晶體管等功率器件。

04北京雙儀微電子項目

北京雙儀微電子科技有限公司公開表明投資意向?qū)⑼顿Y10億元在北京市亦莊經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)建造目前全國唯一具備規(guī)?；慨a(chǎn)能力的先進工藝技術(shù)生產(chǎn)線，進行砷化鎵微波集成電路(GaAsMMIC)芯片的代工服務(wù)，預計于2019年初投產(chǎn)使用。

2016可謂是我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“元年”，以“北京第三代半導體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地”正式動工和第三代半導體南方基地落戶廣東事件為標志，我國第三代半導體的地方基地布局在各級政府推動下正在逐步展開。

2017年政策、資金雙劍合璧，工信部、國家發(fā)改委發(fā)布的《信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》將“第三代化合物半導體”列為集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點，國內(nèi)也首現(xiàn)第三代半導體投資熱潮。

有專家表示，2018年是第三代半導體產(chǎn)業(yè)化準備的關(guān)鍵期。

從上述匯總的第三代半導體項目的一些情況也可以看到，隨著產(chǎn)業(yè)與政府的共同發(fā)力，我國第三代半導體正在產(chǎn)業(yè)化道路上加速推進。

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