臺積電2nm工藝取得重大突破！2023年試產(chǎn)

時(shí)間：2020-11-17

來源：快科技

導(dǎo)語：這幾年,天字一號代工廠臺積電在新工藝進(jìn)展上簡直是開掛一般的存在,7nm工藝全面普及,5nm工藝一路領(lǐng)先,3nm工藝近在眼前,2nm工藝也進(jìn)展神速。

這幾年,天字一號代工廠臺積電在新工藝進(jìn)展上簡直是開掛一般的存在,7nm工藝全面普及,5nm工藝一路領(lǐng)先,3nm工藝近在眼前,2nm工藝也進(jìn)展神速。

根據(jù)最新報(bào)道,臺積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項(xiàng)重大的內(nèi)部突破,雖未披露細(xì)節(jié),但是據(jù)此樂觀預(yù)計(jì),2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),2024年就能步入量產(chǎn)階段。

臺積電還表示,2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距,同時(shí)延續(xù)摩爾定律,繼續(xù)挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。

臺積電預(yù)計(jì),蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。

2nm工藝上,臺積電將放棄延續(xù)多年的FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管),甚至不使用三星規(guī)劃在3nm工藝上使用的GAAFET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管),也就是納米線(nanowire),而是將其拓展成為“MBCFET”(多橋通道場效應(yīng)晶體管),也就是納米片(nanosheet)。

從GAAFET到MBCFET,從納米線到納米片,可以視為從二維到三維的躍進(jìn),能夠大大改進(jìn)電路控制,降低漏電率。

當(dāng)然,新工藝的成本越發(fā)會成為天文數(shù)字,三星已經(jīng)在5nm工藝研發(fā)上已經(jīng)投入了大約4．8億美元,3nmGAAFET上會大大超過5億美元。


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