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三星本周概述了其涵蓋下一代制造工藝以及擴(kuò)大生產(chǎn)能力的長(zhǎng)期路線圖。路線圖表明該公司沒(méi)有放緩開(kāi)發(fā)和部署新制造技術(shù)以及擴(kuò)大制造能力以滿(mǎn)足未來(lái)對(duì)先進(jìn)芯片的需求的計(jì)劃。

　　據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，三星代工計(jì)劃到2025 年開(kāi)始使用其下一代 2nm 制造工藝制造芯片，到 2027 年開(kāi)始使用其 1.4nm 生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。今年早些時(shí)候，三星開(kāi)始使用其第一代 3nm 制造技術(shù)(也稱(chēng)為3GAE或 gate-all-around early)制造半導(dǎo)體。2024 年，該公司將采用其第二代 3nm 節(jié)點(diǎn)(也稱(chēng)為 3GAP，或gate-all-around plus)。

　　由于開(kāi)發(fā)新的制造工藝并將其用于量產(chǎn)變得越來(lái)越困難，三星的 2nm(或 20 埃)節(jié)點(diǎn)將在大約兩年內(nèi)準(zhǔn)備就緒也就不足為奇了。根據(jù)目前的路線圖，當(dāng)三星準(zhǔn)備好其 2nm 技術(shù)時(shí)，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾將在 2024 年中期開(kāi)始使用其 20A 節(jié)點(diǎn)，并在 2025 年中期開(kāi)始使用 18A 節(jié)點(diǎn)。與此同時(shí)，臺(tái)積電計(jì)劃在 2025 年下半年開(kāi)始使用其 2nm 節(jié)點(diǎn)進(jìn)行大批量生產(chǎn)，并在 2026 年初交付第一批芯片。

　　近年來(lái)，三星在新晶圓廠投入巨資，旨在為其三星代工客戶(hù)生產(chǎn)更先進(jìn)的片上系統(tǒng)以及復(fù)雜的 3D NAND 和 DRAM 芯片。幾年來(lái)，該公司在先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)能力上花費(fèi)的資金幾乎比業(yè)內(nèi)任何公司都多——而且它顯然沒(méi)有放緩?fù)顿Y的計(jì)劃。

　　據(jù)路透社援引該公司官員的報(bào)道稱(chēng)，三星計(jì)劃到 2027 年將其先進(jìn)芯片的產(chǎn)能增加兩倍。三星沒(méi)有透露確切的目標(biāo)以及它認(rèn)為的先進(jìn)產(chǎn)能，但可以肯定的是，該公司將繼續(xù)投資于新的半導(dǎo)體產(chǎn)能。

　　三星不僅需要為無(wú)晶圓廠客戶(hù)制造領(lǐng)先的芯片，還需要為自己的產(chǎn)品制造領(lǐng)先的芯片，包括消費(fèi)電子汽車(chē)應(yīng)用、5G 和 6G 連接以及其他產(chǎn)品。

　　為了滿(mǎn)足對(duì)其自有和第三方芯片的需求，三星正在德克薩斯州泰勒附近建造全新的全新晶圓廠，并計(jì)劃擴(kuò)大其在韓國(guó)的生產(chǎn)能力。據(jù)彭博社援引該公司官員的一份報(bào)告稱(chēng)，德克薩斯州的工廠預(yù)計(jì)將于 2024 年開(kāi)始使用該公司的 3nm 級(jí)節(jié)點(diǎn)之一進(jìn)行大批量生產(chǎn) 。