鐵幕已經落下，未來如何演化?

　　有兩個終局：

　　2025年『14nm劃江而治』

　　這是美國對先進工藝筑起的壁壘，防止中國的芯片技術超越，所以此次封鎖的節(jié)點就是Fab的14nm，DRAM的18nm，NAND的128層。

　　為什么美國選擇14nm?

　　1)28nm是12年前的成熟技術，與FinFET的14有著質的區(qū)別

　　2)美系今年量產3nm，比中國的28nm領先了4代，足夠有安全感

　　3)已經知曉中國的能力，再封殺成熟工藝已經沒有意義

　　未來中國半導體之路，四大方向：

　　1)回歸成熟工藝再造：“新90/55nm”遠大于“舊7nm”，進入實體名單后，基于美系設備的7nm其現(xiàn)實意義遠小于基于國產設備的成熟工藝，中國半導體的主要矛盾已經從缺少先進工藝調教，轉移到缺少國產半導體設備的突破。

　　2)回歸產能擴充：之前fab的精力都是在突破更先進工藝，現(xiàn)在應該趁機基于現(xiàn)有國產技術在成熟工藝節(jié)點大力擴產，內資晶圓廠占全球5%，缺口高達700%，產能擴充支持成熟工藝國產Fabless下游是當務之急。

　　3)繼續(xù)加大外循環(huán)：歐美日韓不是鐵板一塊，各自有利益約束，未來國產化進度是按照加大工藝側(45/28/14)和地緣側(去A/去J/去O)兩條國產晶圓廠路徑演變，但是目前中間循環(huán)體日本和歐洲依舊。

　　4)防止陷入美國的蜜糖陷阱：對在禁令之外的成熟工藝設備，晶圓廠一定要以支持國產設備和材料為第一目標，不能再走回之前老路，因為學習曲線完全依賴于下游晶圓廠的通力合作，只有突破成熟才能演化到先進。

　　客觀看待，中美競合關系，美國守先進工藝，中國回爐再造成熟工藝，成熟工藝占據(jù)大部分芯片需求，但國內供給依舊接近于空白，先站穩(wěn)成熟，再圖先進。

　　2030年『7nm分而治之』

　　DUV是20年前日本和荷蘭發(fā)明的技術，不受美國管轄

　　但EUV是美國科技最后的碉堡，鎖住了7nm高階~1nm

　　理論上，中國未來的科技樹止步于多次曝光的DUV 7nm

　　但7nm的潛在天花板依舊足夠了，因為：

　　1)除手機外，其他終端對功耗和單位體積的性能不敏感

　　2)CHIPLET：服務器/車/基站可以用3D堆疊的技術實現(xiàn)等效更高工藝

　　美國的本意是通過芯片封鎖，來實現(xiàn)經濟上的封鎖

　　之前可以基于美國的地基(芯片)建大廈(用車/手機/互聯(lián)網)

　　現(xiàn)在不一樣了，

　　有多少nm的國產芯片設備，

　　才能造多少nm的國產晶圓廠

　　才能代工生成多少nm的真國產芯片，

　　才能用芯片實現(xiàn)多少nm級別的產品

　　晶圓廠及其上游設備材料，將成為一國經濟發(fā)展的系統(tǒng)級變量