韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，一家韓國(guó)公司開發(fā)出一種新材料，有望顯著提高荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)ASML的極紫外光微影曝光設(shè)備 (EUV) 的良率。
根據(jù)BusinessKorea的報(bào)導(dǎo)，半導(dǎo)體和顯示材料開發(fā)商石墨烯實(shí)驗(yàn)室 (Graphene Lab) 近期宣布，其已開發(fā)出使用石墨烯制造、小于5納米的EUV光罩護(hù)膜 (Pellicle) 技術(shù)，并已準(zhǔn)備好進(jìn)行量產(chǎn)。
Graphene Lab執(zhí)行長(zhǎng)Kwon Yong-deok表示，“光罩護(hù)膜過(guò)去是由硅制成的，但我們使用了石墨烯，這對(duì)于使用ASML的EUV微影曝光設(shè)備設(shè)備的半導(dǎo)體企業(yè)來(lái)說(shuō)，石墨烯光罩護(hù)膜將成為晶圓制造良率的推進(jìn)助力?！?/p>
光罩護(hù)膜是一種薄膜，可保護(hù)光罩表面免受空氣中微分子或污染物的影響，這對(duì)于5納米或以下節(jié)點(diǎn)制程的先進(jìn)制程技術(shù)的良率表現(xiàn)至關(guān)重要。另外，光罩護(hù)膜是一種需要定期更換的消耗品，而由于EUV微影曝光設(shè)備的光源波長(zhǎng)較短，因此護(hù)膜需要較薄厚度來(lái)增加透光率。之前，硅已被用于制造光罩護(hù)膜，但石墨烯會(huì)是一種更好的材料，因?yàn)槭┲圃斓墓庹肿o(hù)膜比硅更薄、更透明。
報(bào)導(dǎo)強(qiáng)調(diào)，EUV光罩護(hù)膜必須能夠承受曝光過(guò)程中發(fā)生的800度或更高的高溫，所以其在高溫下的硬化特性，硅制產(chǎn)品非常容易破裂。Graphene Lab指出，一旦石墨烯EUV光罩護(hù)膜受到采用，估計(jì)全球護(hù)膜市場(chǎng)到2024年將達(dá)到1萬(wàn)億韓元的情況下，將有其極大商機(jī)。屆時(shí)，包括臺(tái)積電、三星電子、英特爾等在內(nèi)的半導(dǎo)體企業(yè)都有望成為Graphene Lab的潛在客戶。
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