三星或計劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)

時間:2023-08-15

來源:全球半導(dǎo)體觀察

導(dǎo)語:據(jù)ZDNet Korea報道,業(yè)內(nèi)人士透露,三星目前正在考慮停止P1工廠NAND Flash生產(chǎn)線部分設(shè)備的生產(chǎn)。該生產(chǎn)區(qū)主要負責生產(chǎn)128層堆疊的第6代V-NAND。據(jù)悉,該設(shè)備將停產(chǎn)至少一個月,但可能會延長至2023年下半年。

       據(jù)行業(yè)媒體消息,為了克服低迷的存儲器市場狀況,三星電子計劃停止其位于韓國平澤市P1工廠的部分NAND閃存生產(chǎn)設(shè)備。

  據(jù)ZDNet Korea報道,業(yè)內(nèi)人士透露,三星目前正在考慮停止P1工廠NAND Flash生產(chǎn)線部分設(shè)備的生產(chǎn)。該生產(chǎn)區(qū)主要負責生產(chǎn)128層堆疊的第6代V-NAND。據(jù)悉,該設(shè)備將停產(chǎn)至少一個月,但可能會延長至2023年下半年。

  目前,三星已經(jīng)減少了主要NAND Flash生產(chǎn)基地的晶圓投入,包括韓國平澤、華城以及中國西安。業(yè)界猜測三星的NAND Flash產(chǎn)量可能會減少10%左右。不過,鑒于市場持續(xù)低迷,三星在4月份發(fā)布的2023年Q1財報中正式宣布存儲器減產(chǎn)計劃。此外,三星在發(fā)布第Q2財報時表示,2023年下半年將重點削減NAND Flash領(lǐng)域的產(chǎn)量。

  值得注意的是,第6代128層V-NAND系列工藝相對成熟,成為減產(chǎn)目標。目前,三星的主要銷售來自第7代和第8代V-NAND產(chǎn)品,分別為176層和236層。

  值得注意的是,半導(dǎo)體公司通常采用在減產(chǎn)期間保持設(shè)備運行而不生產(chǎn)晶圓的方法。這主要是因為如果設(shè)備完全關(guān)閉,重新啟動期間重新建立工藝、達到產(chǎn)量需要額外的時間和金錢投資。不過,三星正在考慮停止設(shè)備運轉(zhuǎn),不僅是為了增強減產(chǎn)效果,也是為了削減成本。

  據(jù)報道,包括半導(dǎo)體在內(nèi)的三星設(shè)備解決方案(DS)部門僅在2023年上半年就累計虧損8.94萬億韓元(約合67.2億美元)。因此,“降低成本”成為三星存儲業(yè)務(wù)目標管理(MBO)目標的重點之一。

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