國(guó)際首次,中國(guó)芯片再突破!

時(shí)間:2024-04-19

來源:全球半導(dǎo)體觀察

導(dǎo)語(yǔ):據(jù)四川日?qǐng)?bào)報(bào)道,成都電子科技大學(xué)信息與量子實(shí)驗(yàn)室研究團(tuán)隊(duì)與清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作,在國(guó)際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片,這是電子科技大學(xué)“銀杏一號(hào)”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺(tái)取得的又一項(xiàng)重要進(jìn)展。

       據(jù)四川日?qǐng)?bào)報(bào)道,成都電子科技大學(xué)信息與量子實(shí)驗(yàn)室研究團(tuán)隊(duì)與清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作,在國(guó)際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片,這是電子科技大學(xué)“銀杏一號(hào)”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺(tái)取得的又一項(xiàng)重要進(jìn)展。

  目前,量子光源芯片多使用氮化硅等材料進(jìn)行研制,與之相比,氮化鎵量子光源芯片在輸出波長(zhǎng)范圍等關(guān)鍵指標(biāo)上取得突破,輸出波長(zhǎng)范圍從25.6納米增加到100納米,并可朝著單片集成發(fā)展。

  報(bào)道稱,研究團(tuán)隊(duì)通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝,攻克高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長(zhǎng)、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等技術(shù)難題,在國(guó)際上首次將氮化鎵材料運(yùn)用于量子光源芯片。

  量子光源芯片是量子互聯(lián)網(wǎng)的核心器件,可以看作是點(diǎn)亮“量子房間”的“量子燈泡”,讓聯(lián)網(wǎng)用戶擁有進(jìn)行量子信息交互的能力。

  據(jù)電子科技大學(xué)基礎(chǔ)與前沿研究院教授、天府絳溪實(shí)驗(yàn)室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心主任周強(qiáng)解釋,通過為量子互聯(lián)網(wǎng)的建設(shè)提供更多波長(zhǎng)資源,可以滿足更多用戶采用不同波長(zhǎng)接入量子互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的需求。這意味著,“量子燈泡”可以點(diǎn)亮更多房間。

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