全球著名的跨國(guó)公司富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體 ,并在2012年前于該公司位于日本長(zhǎng)野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線(xiàn),此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線(xiàn),未來(lái)預(yù)計(jì)在2012年春季開(kāi)始量產(chǎn)。
富士電機(jī)將在近期內(nèi)決定生產(chǎn)規(guī)模,外界預(yù)估投資額將可達(dá)到數(shù)10億日?qǐng)A,此產(chǎn)線(xiàn)利用二極管及碳化硅制作出功率半導(dǎo)體,并整合絕緣柵雙極晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor;IGBT),以模塊方式提供給工業(yè)用機(jī)器。
在此之前,富士電機(jī)已然與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所合作于該研究所的茨城事業(yè)所生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體的試作品,今后透過(guò)自家公廠產(chǎn)線(xiàn),富士電機(jī)計(jì)劃正式進(jìn)行量產(chǎn)。
富士電機(jī)于2011年會(huì)計(jì)年度(2010年4月~2011年3月)對(duì)功率半導(dǎo)體的投資額高達(dá)185億日?qǐng)A(約2.4億美元),約占該公司總投資額的一半。
碳化硅功率半導(dǎo)體為變頻器(Inverter)中一重要零組件,主要用于控制馬達(dá)轉(zhuǎn)速,近期以來(lái)因其省電效果而受到矚目。使用硅為原料的功率半導(dǎo)體因性能已然難以提升,故電力損失可減半的碳化硅功率半導(dǎo)體,可望于2015年成為市場(chǎng)主流。
根據(jù)野村證券金融 經(jīng)濟(jì)研究所的預(yù)估,功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將在2013年,達(dá)到165億日?qǐng)A,較2009年增加64%.盡管關(guān)于碳化硅功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)預(yù)估仍然不多,但業(yè)界估計(jì),碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將可在2019年達(dá)到8億美元規(guī)模,較2010年增加達(dá)30倍。
為因應(yīng)未來(lái)市場(chǎng)需求,日本多家廠商已然陸續(xù)整頓生產(chǎn)體制,先有Rohm于2010年,后有三菱電機(jī)于2011年初量產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體。海外方面也有德國(guó)InfineonTechnologies、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)等公司,投入碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。
富士電機(jī)擬擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線(xiàn)
時(shí)間:2011-08-22
來(lái)源:富士電機(jī)(中國(guó))有限公司
導(dǎo)語(yǔ):富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體 ,并在2012年前于該公司位于日本長(zhǎng)野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線(xiàn),此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線(xiàn),未來(lái)預(yù)計(jì)在2012年春季開(kāi)始量產(chǎn)。
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