恩智浦推出雙電源電壓ARM Cortex-M0微控制器

時(shí)間:2012-02-27

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語:恩智浦半導(dǎo)體NXPSemiconductorsN.V.近日宣布推出LPC1100LV系列,這是全球首款支持1.65V至1.95VVDD和1.65V至3.6VVIO雙電源電壓的ARM®Cortex™-M0微控制器。

  恩智浦半導(dǎo)體NXPSemiconductorsN.V.近日宣布推出LPC1100LV系列,這是全球首款支持1.65V至1.95VVDD和1.65V至3.6VVIO雙電源電壓的ARM®Cortex™-M0微控制器。LPC1100LV系列采用2mmx2mm微型封裝,性能達(dá)到50MIPS,功耗比同類3.3VVDD器件低三倍以上。LPC1100LV平臺(tái)專門針對(duì)電池供電型終端應(yīng)用而設(shè)計(jì),包括手機(jī)、平板電腦、超級(jí)本(Ultrabooks™)以及有源電纜、相機(jī)和便攜式醫(yī)療電子設(shè)備的移動(dòng)配件。

  恩智浦半導(dǎo)體微控制器業(yè)務(wù)部市場總監(jiān)JanJaapBezemer表示:“通常,在單個(gè)微型封裝中目前還無法實(shí)現(xiàn)高性能雙電源電壓的產(chǎn)品。LPC1100LV系列在同一器件中將電池供電應(yīng)用的這些關(guān)鍵要求獨(dú)特地結(jié)合起來,使客戶可以打造前所未有的低功耗解決方案?!?/p>

  針對(duì)低功耗、快速喚醒而設(shè)計(jì)

  得益于恩智浦最新256字節(jié)擦除扇區(qū)和低漏電流的嵌入式專有閃存,LPC1100LV可以在低時(shí)鐘頻率下出色地處理線性電流消耗,同時(shí)還能降低系統(tǒng)功耗。例如,在智能手機(jī)等移動(dòng)系統(tǒng)中,多數(shù)系統(tǒng)元件需要在大多數(shù)時(shí)候保持功耗極低的睡眠模式。在需要使用器件時(shí),必須在極短的時(shí)間內(nèi)快速喚醒并達(dá)到峰值性能。而LPC1100LV的喚醒時(shí)間為5us,完全符合這一要求。

  更高效地執(zhí)行要求更高的任務(wù)

  恩智浦的LPC1100LV器件可實(shí)現(xiàn)50MIPS的性能,而8/16位MCU的典型性能僅為1至5MIPS。其出色的表現(xiàn)使LPC1100LV可以更快地完成要求極高的任務(wù),并減少保持活動(dòng)模式的時(shí)間,從而進(jìn)一步降低器件的平均功耗。對(duì)于相同的任務(wù),LPC1100LV借助特有的1.65V-1.95VVDD低電壓輸入,功耗比競爭對(duì)手采用3.3VVDD輸入的Cortex-M0器件低三倍以上,比典型8/16位MCU低十倍以上??梢猿浞职l(fā)揮LPC1100LV的MIPS性能優(yōu)勢的子系統(tǒng)包括:系統(tǒng)安全和驗(yàn)證(包括處理AES-256加密)、系統(tǒng)接口和控制(如鍵盤和觸摸屏)、系統(tǒng)外設(shè)控制(音頻和照明)以及軟件堆棧的運(yùn)行(如藍(lán)牙低功耗無線電)。

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