新明和工業(yè)開發(fā)出半導(dǎo)體基板高覆蓋率成膜技術(shù)

時(shí)間:2007-12-12

來源:中國傳動(dòng)網(wǎng)

導(dǎo)語:新明和工業(yè)開發(fā)出了利用“片等離子(Sheet Plasma)”技術(shù),在布線深寬比較高的半導(dǎo)體基板上進(jìn)行高覆蓋率成膜的“濺射離子鍍工藝

新明和工業(yè)開發(fā)出了利用“片等離子(Sheet Plasma)”技術(shù),在布線深寬比較高的半導(dǎo)體基板上進(jìn)行高覆蓋率成膜的“濺射離子鍍工藝(Sputter Ionplating Process)”。片等離子技術(shù)是該公司06年開發(fā)、利用磁場(chǎng)將呈圓柱狀分布的等離子改變成片狀分布的技術(shù)。 此次開發(fā)的工藝的最大的特點(diǎn)是:能夠單獨(dú)控制等離子槍的放電電流和濺射靶材的偏置電壓。在以CPU為代表的半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域,隨著高功能及高速化的發(fā)展,銅布線越來越微細(xì)化,為適應(yīng)這一趨勢(shì)而進(jìn)行的開發(fā)十分活躍,該公司著眼于其中的銅布線工序,通過片等離子技術(shù)在電子底板材料的薄膜表面形成銅或硅膜,開發(fā)出了兼顧性能和價(jià)格的新工藝。 該工藝的成膜方法為首先利用磁場(chǎng)將等離子槍產(chǎn)生的圓柱狀氬等離子形成片狀。然后利用由此生產(chǎn)的高等離子密度的片等離子體,均勻地消耗靶材(形成薄膜的材料),同時(shí)進(jìn)行銅濺鍍和離子化。這樣便可實(shí)現(xiàn)高密著且大面積的均勻成膜。利用該技術(shù)可消除局部磁通密度差等質(zhì)量問題的出現(xiàn)。而且還解決了材料費(fèi)及功耗方面存在的問題。靶材使用效率提高到了為原來約2倍的近100%,靶材使用效率低的問題得到解決,靶材成本降低了約50%,功耗也減少了約40%。
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