經(jīng)常看到關(guān)于電機的這類提問：比如“我的電機驅(qū)動器已停止正常工作”、“我的電機驅(qū)動器被損壞了”以及“我的電機不轉(zhuǎn)了”開頭的問題，究其背后的根本原因往往就是EOS。

下面我們在文中就簡單的說一說EOS是什么，并且列舉出電機驅(qū)動系統(tǒng)里導(dǎo)致EOS的幾大常見根源。

一、EOS的定義

廣義的過電應(yīng)力（Electricaloverstress,EOS）是指元器件承受的電流或電壓應(yīng)力超過其允許的最大范圍。過電應(yīng)力是影響光耦器件的因素之一。

二、EOS規(guī)定限值

我們了解了EOS是什么，那么如何能知道規(guī)定限值是多少呢？為達到這個目的，我們必須仔細查看電子器件產(chǎn)品說明書中的絕對最大額定值表（請參看表1，它來自DRV8701產(chǎn)品說明書）。絕對最大額定值的技術(shù)規(guī)格是這樣的——超過它們會發(fā)生永久性損壞。在產(chǎn)品說明書中，絕對最大額定值與推薦工作條件不同；如果超過那些推薦工作條件的技術(shù)規(guī)格，器件可以繼續(xù)運行，只是在以產(chǎn)品說明書推薦工作條件范圍之外的技術(shù)規(guī)格運行。違反表1規(guī)定的一個例子是：如果由于電源軌上的瞬態(tài)事件，VM電源引腳達到了50V……

表1：DRV8701的絕對最大額定值表

三、EOS常見根源

在電機驅(qū)動系統(tǒng)里導(dǎo)致EOS的一些常見根源是什么？

01、電源過壓

EOS的最常見根源之一是器件電源輸入端上的過壓事件。電源過壓可由電機再生電能或系統(tǒng)的外部事件（如組件故障）引起。了解過壓事件的根源所在需要在一切可能的內(nèi)部和外部運行條件下監(jiān)測系統(tǒng)電源軌。

圖1：電源過壓瞬變

02、開關(guān)瞬變

導(dǎo)致電機驅(qū)動系統(tǒng)中出現(xiàn)EOS現(xiàn)象的另一種常見根源是：遭受與功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的開關(guān)相關(guān)的電壓瞬變。在理想的半橋開關(guān)系統(tǒng)中，電壓將在VGROUND和VSUPPLY（圖2）之間交替波動。但在現(xiàn)實中，功率MOSFET和印刷電路板（PCB）布局中的寄生現(xiàn)象會導(dǎo)致電壓瞬變——電壓將變得低于VGROUND或高于VSUPPLY（圖3）。

圖2：理想的半橋驅(qū)動器

圖3：存在寄生現(xiàn)象的半橋驅(qū)動器

03、MOSFET過流

TI的集成電機驅(qū)動器具有過流和過溫保護功能，可防止過流情況下的EOS。對于使用柵極驅(qū)動器（具有外部功率MOSFET）的系統(tǒng)，必須注意不要違反MOSFET安全工作區(qū)規(guī)定。功率MOSFET產(chǎn)品說明書通常會包含一個安全工作區(qū)（SOA）曲線圖（如圖4所示）。功率MOSFET中電流過大將最終導(dǎo)致該器件或其封裝的熱損壞。