PI Metro ?:半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)的 高精度運(yùn)動(dòng)平臺(tái)

文:文/PI普愛納米位移技術(shù)(上海)有限公司2024年第三期

  對(duì)于各類晶圓而言,均勻的基板和器件層厚度以及極低的缺陷密度,是決定成品率的關(guān)鍵前提條件;同時(shí),晶圓的電阻率也需嚴(yán)格符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。為此,需要對(duì)薄膜進(jìn)行表征,以評(píng)估其厚度、電阻率以及表面質(zhì)量和粗糙度等特性。快速、可靠的測(cè)量技術(shù)有助于盡早發(fā)現(xiàn)缺陷,防止成品率損失,從而降低成本。PI目前正大力開發(fā)晶圓定位的運(yùn)動(dòng)解決方案,以便高效測(cè)量晶圓的關(guān)鍵特性。

  1 PI Metro?運(yùn)動(dòng)解決方案的特點(diǎn)

  ? 可重復(fù)的快速步進(jìn)與穩(wěn)定運(yùn)動(dòng);

  ? 可靠且高質(zhì)量的大規(guī)模中國本地化生產(chǎn);

  ? 符合ISO 14644潔凈室5級(jí)標(biāo)準(zhǔn);

  ? 先進(jìn)的ACS控制功能:龍門控制,2D映射;

  ? 遵循全球設(shè)計(jì)和計(jì)量標(biāo)準(zhǔn);

  ? 模塊化和可擴(kuò)展,支持定制;

  ? 快速、準(zhǔn)時(shí)交付:12周;

  ? 快速服務(wù)響應(yīng):24小時(shí)內(nèi)。

  (1)θ軸——晶圓或基板的精細(xì)旋轉(zhuǎn)分度和對(duì)準(zhǔn)

  ? 高精度且可重復(fù)的360度旋轉(zhuǎn),無空回;

  ? 磁性直接驅(qū)動(dòng)器可實(shí)現(xiàn)高速度和加速度;

  ? 直接驅(qū)動(dòng)、無槽、無刷力矩電機(jī)可提供非常低的齒槽

  轉(zhuǎn)矩并實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)的速度和低誤差運(yùn)動(dòng);

  ? 超精密空氣軸承由內(nèi)部開發(fā)和制造;

  ? 進(jìn)一步提升性能,以優(yōu)化異步操作的性能規(guī)格。

  (2)Z軸——精密晶圓對(duì)準(zhǔn)

  ? 低型面高度、高負(fù)載、結(jié)構(gòu)緊湊的優(yōu)異設(shè)計(jì);

  ? 直驅(qū)音圈技術(shù)可實(shí)現(xiàn)零齒槽效應(yīng)、納米級(jí)步長的平滑運(yùn)動(dòng)以及快速響應(yīng);

  ? 高分辨率編碼器可實(shí)現(xiàn)運(yùn)動(dòng)平臺(tái)的納米級(jí)定位;

  ? 高精度防蠕動(dòng)交叉滾柱軸承;

  ? 氣動(dòng)平衡系統(tǒng)可防止電機(jī)過熱并避免碰撞;

  ? 經(jīng)濟(jì)實(shí)惠,交付快捷。

  (3)XY軸——精密步進(jìn)和穩(wěn)定運(yùn)動(dòng)

  ? 安裝在基軸上的高動(dòng)態(tài)耦合無鐵芯直線電機(jī),可實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁、快速的精密運(yùn)動(dòng);

  ? 雙編碼器系統(tǒng)可確保電機(jī)與偏轉(zhuǎn)角對(duì)準(zhǔn),同時(shí)實(shí)現(xiàn)高分辨率和高精度;

  ? 低型面高度多軸承剛性平臺(tái)可減少阿貝偏移,并實(shí)現(xiàn)更高的平面度和直線度;

  ? 設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)高度的靈活性和定制能力;

  ? 優(yōu)化的集成電纜管理可減少運(yùn)動(dòng)阻力并延長使用壽命;

  ? 花崗巖底座可確保運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的較高性能;

  ? 選裝有源隔振系統(tǒng)。

(4)靈活輕松的自動(dòng)化控制

  ? EtherCAT?運(yùn)動(dòng)控制和驅(qū)動(dòng)模塊提供開放式網(wǎng)絡(luò)連接;

  ? 先進(jìn)算法提供快速步進(jìn)和穩(wěn)定、高就位穩(wěn)定性以及出色的恒定掃描速度。

  >> ServoBoost?

  ? 廣泛的編程環(huán)境,支持高級(jí)語言;

  ? 控制器具有自動(dòng)聚焦功能,可實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)聚焦調(diào)整;

  ? 學(xué)習(xí)控制算法;

  ? 具有線性放大器性能的緊湊型運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)。

  2 薄膜厚度測(cè)量應(yīng)用

  ? 在半導(dǎo)體制造過程中,在硅片上沉積了多個(gè)電介質(zhì)層;

  ? 薄膜厚度測(cè)量用于測(cè)量各層的正確厚度;

  ? 通常使用光學(xué)技術(shù)“橢圓偏振法”;

  ? 橢圓偏振法測(cè)量光在薄膜表面上反射后的偏振度,從而可以確定這種層的厚度,直至埃水平。

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Ellipsometry 橢圓偏振技術(shù)( Wikipedia free license: CCBY-SA 3.0)

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圖 3 樣件 3 結(jié)構(gòu)及實(shí)物圖

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表 3 樣件 3 試驗(yàn)情況

3A、3B均通過5000次交變壓力的壽命試驗(yàn),3C、3D均通過高低溫、振動(dòng)及沖擊,3E、3F爆破壓力分別為46.75MPa及46.28MPa,符合(45.5±2.5)MPa。

  3 結(jié)語

  以某航空高壓氮?dú)馄坑帽破瑸檠芯繉?duì)象,分別按照上述兩種結(jié)構(gòu)進(jìn)行試制3種樣件,試驗(yàn)研究其在高壓、高低溫、振動(dòng)及沖擊等環(huán)境工況下的密封性能、爆破壓力及壽命情況。結(jié)果表明,相同試驗(yàn)條件下,上下壓環(huán)壓接密封及直接焊接底座密封方式都存在缺陷,壓環(huán)焊接式爆破片可以耐受高壓、高低溫、振動(dòng)及沖擊等環(huán)境工況,性能指標(biāo)都符合要求,關(guān)于此方式密封結(jié)構(gòu)會(huì)對(duì)爆破片產(chǎn)生何種影響,有必要進(jìn)一步展開研究。

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