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SOI高溫壓力傳感器研究進(jìn)展及應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2009/3/19 14:41:00

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【SOI高溫壓力傳感器研究進(jìn)展及應(yīng)用】

資料介紹
常規(guī)擴(kuò)散硅壓阻式壓力傳感器依靠PN結(jié)實(shí)現(xiàn)敏感電阻間的電學(xué)隔離,基于單晶硅良好的彈性形變性能和顯著的壓阻效應(yīng)進(jìn)行壓力測(cè)試,以其特有的體積小、靈敏度高、工藝成熟等優(yōu)點(diǎn),成為應(yīng)用最廣泛的壓力傳感器。不過(guò),當(dāng)工作溫度超過(guò)125℃時(shí),電阻與襯底間的PN結(jié)漏電加劇,使傳感器特性嚴(yán)重惡化以至失效,不能準(zhǔn)確測(cè)量壓力。因此,把能在高于125℃條件下工作的硅壓阻式壓力傳感器,稱(chēng)為擴(kuò)散硅高溫壓力傳感器。

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