石墨烯微型超級(jí)電容器研究獲進(jìn)展

時(shí)間:2017-04-11

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導(dǎo)語(yǔ):近日,中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所二維材料與能源器件研究組研究員吳忠?guī)浥c中科院院士包信和、中科院物理研究所研究員郭麗偉合作,

近日,中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所二維材料與能源器件研究組研究員吳忠?guī)浥c中科院院士包信和、中科院物理研究所研究員郭麗偉合作,采用高溫?zé)峤釹iC法制備出高堆疊密度、單取向陣列、直接鍵合基底的站立石墨烯,并將其應(yīng)用于高功率微型超級(jí)電容器。相關(guān)研究成果發(fā)表在ACSNano上。

多功能集成電路的不斷發(fā)展增加了對(duì)小型化、集成化微納儲(chǔ)能系統(tǒng)的需求。微型超級(jí)電容器因具有輕量化、厚度薄、體積小、高功率密度、長(zhǎng)循環(huán)壽命和快速頻率響應(yīng)等優(yōu)點(diǎn),受到廣泛關(guān)注。其中,設(shè)計(jì)和構(gòu)筑非常規(guī)、結(jié)構(gòu)有序定向、高離子-電子混合導(dǎo)電、強(qiáng)界面鍵合的電極材料是發(fā)展高功率儲(chǔ)能器件重要的研究方向之一。

該研究團(tuán)隊(duì)利用高溫?zé)峤釹iC基底方法制備出高堆疊密度、高導(dǎo)電、單一取向的站立石墨烯陣列。與傳統(tǒng)電極材料相比,該陣列直接生長(zhǎng)在導(dǎo)電SiC基底上,在電極材料與集流體之間形成較強(qiáng)的界面鍵合作用,并建立了有效的離子和電子傳輸通道。電解液離子可沿著站立石墨烯平面無(wú)障礙快速移動(dòng),有效縮短了電解液離子路徑,同時(shí),電子從石墨烯平面到集流體實(shí)現(xiàn)了快速傳輸及其存儲(chǔ)。采用該陣列的微型超級(jí)電容器在凝膠和離子液體電解液中均表現(xiàn)出較高的面容量、快速的頻率響應(yīng)(9毫秒)、優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性以及超高掃描速率(200V/s)。該超級(jí)電容器功率密度達(dá)到61W/cm3,理論上可為小型化、集成化電子設(shè)備提供足夠的峰值功率。上述工作為發(fā)展強(qiáng)界面鍵合電極材料應(yīng)用于高功率超級(jí)電容器提供了新方法。

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