9月20日消息，據(jù)媒體報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在面臨美國(guó)出口限制和被列入實(shí)體清單的雙重壓力下，已成功采用國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備替代部分美系設(shè)備。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)自研Xtacking架構(gòu)可讓3D NAND的層數(shù)堆疊到232層，即使與美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有極強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)使用中微半導(dǎo)體設(shè)備公司的蝕刻設(shè)備、北方華創(chuàng)的沉積與蝕刻設(shè)備，以及拓荊科技的沉積設(shè)備，成功制造出3D NAND閃存芯片。
TechInsights稱，雖然長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍繼續(xù)依賴ASML和泛林集團(tuán)等外國(guó)供應(yīng)商提供關(guān)鍵工具，但中國(guó)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商越來(lái)越多地承擔(dān)了生產(chǎn)流程的大部分。
不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)使用國(guó)產(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)的最新NAND芯片在堆疊層數(shù)上做了相應(yīng)的妥協(xié)，比早期產(chǎn)品少了約70層，且產(chǎn)量較低。
對(duì)此長(zhǎng)江存儲(chǔ)在回應(yīng)中表示，公司正在不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能，層數(shù)變化與設(shè)備產(chǎn)量無(wú)關(guān)，隨著制造工藝、流程及經(jīng)驗(yàn)的不斷成熟，會(huì)不斷增加堆疊層數(shù)。
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